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feldeffekttransistorschaltungen.
field-effect transistor circuits.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
verfahren zum herstellen von hochintegrierten komplementären mos-feldeffekttransistorschaltungen.
process for manufacturing highly integrated complementary mos field effect transistor circuits.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
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Qualità:
steuerschaltung zur Überwachung von signalanstieg und -sinken in feldeffekttransistorschaltungen.
driver circuit for controlling signal rise and fall in field effect transistor circuits.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
verfahren zum herstellen von hochintegrierten komplementären mos-feldeffekttransistorschaltungen in siliziumgate-technologie.
process for manufacuting a highly integrated complementary mos field effect transistor circuit using silicon gate technology.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
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Qualità:
verfahren zur herstellung benachbarter mit dotierstoffionen implantierter wannen bei der herstellung von hochintegrierten komplementären mos-feldeffekttransistorschaltungen.
process for making adjacent ion impurity implanted wells for manufacturing highly integrated complementary mos field effect transistor circuits.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
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Qualità:
verfahren zum herstellen von integrierten mos-feldeffekttransistorschaltungen in siliziumgate-technologie mit silizid beschichteten diffusionsgebieten als niederohmige leiterbahnen.
process for manufacturing integrated circuits comprising mos field-effect transistors using silicon gate technology having silicide layers on diffusion regions as low-ohmic conductors.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
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Qualità:
verfahren zum herstellen von integrierten mos-feldeffekttransistoren, insbesondere von komplementären mos-feldeffekttransistorschaltungen mit einer aus metallsiliziden bestehenden zusätzlichen leiterbahnebene.
process for manufacturing integrated mos field effect transistors, particularly circuits having complementary mos field effect transistors with an additional conductor level comprising metal silicides.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
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Qualità: