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verfahren zur herstellung von flachen dotierten bereichen mit niedrigem schichtwiderstand in einem siliziumsubstrat.
process for manufacturing shallow doped regions having a low layer resistivity in a silicon substrate.
diffundierte kontakte mit niedriger schichtwiderstand für vergrabene diffundierte widerstand unter verwendung von isolationszonen und einer vergrabenen zone.
low sheet resistance diffused contacts to buried diffused resistors using isolation regions and buried layer.