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halbleiter-speicherbauelement
semiconductor memory device
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 6
Qualità:
speicherbauelement und speichervorrichtung
memory device and storage apparatus
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
nicht-flüchtiges speicherbauelement
non-volatile memory device
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
nand-typ flash-speicherbauelement
nand type flash memory device
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
speicherbauelement mit einer kammtunnelbarriere
memory device having a crested tunnel barrier
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
sonos-speicherbauelement mit nanokristallschicht
sonos memory device having nanocrystal layer
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
organisches speicherbauelement und ansteuerungsschaltung dazu
organic storage component and corresponding triggering circuit
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 3
Qualità:
nichtflüchtiges elektrisch programmierbares speicherbauelement.
non-volatile electrically programmable memory device.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
elektrode für ein phasenwechsel-speicherbauelement
electrode for phase change memory device
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
ferroelektrisches speicherbauelement und dessen herstellungsverfahren
ferroelectric memory device and method for manufacturing same
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
nichtflüchtiges speicherbauelement und dessen herstellungsverfahren.
non-volatile memory device and method of its manufacture.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
elektrisch lösch- und programmierbares speicherbauelement
electrically erasable and programmable memory device
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
magnetowiderstandseffekt-basiertes speicherbauelement und dessen herstellungsverfahren
magnetoresistance effect memory device and method for producing the same
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
halbleiter-speicherbauelement und verfahren zum herstellen desselben
semiconductor memory device and method of manufacturing the same
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
2 (9) gedächtnisgrößtintegriertes speicherbauelement: 2 + 7 = 9
2(9) mnemonic memory device: 2 + 7 = 9
Ultimo aggiornamento 2018-02-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
kondensator einer halbleiter-anordnung und entsprechendes speicherbauelement
capacitor of semiconductor device and memory device using the same
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
(11) gedächtnis4 größtintegriertes speicherbauelement: 4 + 7 = 11
4(11) mnemonic memory device: 4 + 7 = 11
Ultimo aggiornamento 2018-02-13
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
ge-vorstufe, dünne gst schicht sowie phasenwechsel speicherbauelement
ge precursor, gst thin layer, phase-change memory device
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
widerstands-kreuzpunkt-speicherbauelement mit kalibriersteuereinheit für einen abtastverstärker
resistive cross point memory device with calibration controller for a sense amplifier
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità: