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vorrichtung und verfahren zur steuerung der herstellung diskreter elemente in der halbleitertechnologie mit hilfe modellgestÜtzter prÄdiktiver regelung
systeme et procede de commande de la fabrication de parties discretes dans la fabrication de semi-conducteurs, par commande predictive de modele
verwendung der anordnung gemäß einem der ansprüche 1 bis 11 zur erzeugung von strukturierten schichten in dem bereich der halbleitertechnologie.
utilisation du dispositif suivant l'une des revendications 1 à 11 pour la production de couches structurées dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs.
poren oder kanä len wobei die hohlräume im wesentlichen senkrecht zu den schichtelementen angeordnet sind und dessen herstellung mit tels Ätzverfahren aus der halbleitertechnologie.
selon ladite invention, ces cavités sont sensiblement perpendiculaires aux éléments de stratification et produites selon un procédé de gravure issu de la technologie des semiconducteurs.
die halbleitertechnologie kann deshalb als von grundsätzlicher bedeutung für die industrielle entwicklung der gemeinschaft angesehen werden. die funktionen von halbleitererzeugnissen hängen weitgehend von den topographien von solchen erzeugnissen ab.
considérant que les produits semi-conducteurs jouent un rôle de plus en plus important dans de nombreux secteurs industriels et que la technologie des semi-conducteurs peut dès lors être considérée comme fondamentale pour le développement industriel de la communauté;
in eine folie (1) wird mindestens ein bauelement in organischer halbleitertechnologie, insbesondere ein oder mehrere organische feldeffekttransistoren, integriert.
l'invention se caractérise en ce qu'au moins un composant issu de la technologie des semi-conducteurs organiques, notamment un ou plusieurs transistors organiques à effet de champ, est intégré dans ladite feuille (1).
in den neuen schlüsseltechnologien, in der halbleitertechnologie, in der biotechnologie und vor allem in den informationstechnologien dominieren andere wirtschaftsregionen der welt, japan, usa, ganz südostasien.
le programme de travail de la commission pour 1996 dont nous débattrons bientôt, ici au parlement européen, s'inscrit dans cette optique et ouvre des pistes.
fue-aktivitäten auf dem gebiet der halbleitertechnologie in der region rhône-alpes (crolles, grenoble und rousset) st microelectronics nv
activités de recherche-développement dans le domaine des semi-conducteurs dans la région rhône-alpes (crolles, grenoble et rousset) st microelectronics nv
als ein einziger chip ausgeführter integrierter schaltkreis mit dem sender für die impulsübertragung nach anspruch 1, wobei der schaltkreis in halbleitertechnologie aus der gruppe si-bipolar, cmos, sige oder gaas ausgeführt ist.
circuit intégré à une puce comprenant l'émetteur de transmission d'impulsions selon la revendication 1, dans lequel le circuit intégré est mis en oeuvre dans un semi-conducteur sélectionné dans le groupe composé de systèmes bipolaires au silicium, de semiconducteurs métal-oxyde complémentaires, de silicium/germanium et d'arséniure de gallium.
integrierter einchip-schaltkreis mit dem impulsübertragungsempfänger nach anspruch 20, wobei der schaltkreis in einer halbleitertechnologie aus der gruppe bipolar-si, cmos, sige und gaas ausgeführt ist.
circuit intégré à une puce comprenant le récepteur de transmission d'impulsions selon la revendication 20, dans lequel le circuit intégré est mis en oeuvre dans un semi-conducteur sélectionné dans le groupe composé de systèmes bipolaires au silicium, de semiconducteurs métal-oxyde complémentaires, de silicium/germanium et d'arséniure de gallium.
die erfindung betrifft ein verfahren zur herstellung von strahlungsarmen abdeckgläsern für strahlungsempfindliche sensoren, insbesondere in der halbleitertechnologie, mit geringer a-eigenstrahlung, ohne die erzeugung von zwischenformen, durch direkte formgebung als flachglas in geeigneten abmessungen.
la présente invention concerne un procédé pour produire des voyants à faible rayonnement pour des capteurs radiosensibles, en particulier dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs, présentant un faible rayonnement propre a, sans produire de forme intermédiaire, par façonnage direct sous forme de verre plat présentant des dimensions adaptées.