検索ワード: null punkt verriegelung (ドイツ語 - フランス語)

system zur bestimmung von beschleunigung mittels schwerkraftbeschleunigungsmesser mit null-punkt-anpassung
système de détermination d'accélération comprenant un accéléromètre à gravité avec ajustement du point zéro

null-punkte-hand
main à zéro point

• interaktiver videofilm, cd-i (vom null punkt angefangen): 50—100 einheiten.
• vidéo interactive et cd-i: de 50 à 100 unités.

diese sympathie ist nach den ständigen menschen rechtsverletzungen zurückgegangen und nach den blutigen ereignissen des vergangenen jahres auf den null punkt gesunken.
nous avons des responsabilités jusqu'à la remise de ces territoires à la chine en 1997 et 1999.

positionssensor (1) zum ermitteln der position eines magnetelements (5), das ein magnetfeld erzeugt, das wenigstens eine komponente (b z ) aufweist, das in wenigstens einem punkt im raum zu null wird, wobei der sensor (1) wenigstens eine mehrzahl (31; 32) von nebeneinanderliegenden halleffekt-elementarsensoren (s i ) aufweist, um den null-punkt der magnetfeldkomponente (b z ) zu ermitteln, dadurch gekennzeichnet, daß die elementarsensoren (s i ) festkörpersensoren sind, die benachbart zueinander in einem einzigen chip eines halbleiterkörpers (2) integriert sind, der ein substrat (60) von einem ersten leitfähigkeits-typ aufweist, einen unteren isolationsbereich (61) vom ersten leitfähigkeits-typ, der über dem substrat liegt, eine epitaxiale schicht (62) von einem zweiten entgegengesetzten leitfähigkeits-typ, die über dem unteren isolationsbereich liegt, wobei die epitaxiale schicht eine obere große fläche (68) des halbleiterkörpers festlegt, einen oberen isolationsbereich (63, 63') vom zweiten entgegengesetzten leitfähigkeits-typ, der in die expitaxiale schicht eingewachsen ist und seitlich wenigstens einen aktiven bereich (64, 64') in der epitaxialen schicht begrenzt, einen grenzflächenisolationsbereich (65, 65') vom ersten leitfähigkeits-typ, der in die epitaxiale schicht eingewachsen ist und den aktiven bereich in der epitaxialen schicht von der oberen großen fläche isoliert, und kontaktbereiche (66, 66', 67) vom zweiten entgegengesetzten leitfähigkeits-typ in direktem kontakt mit dem aktiven bereich der epitaxialen schicht.
détecteur de position pour détecter la position d'un élément magnétique (5) produisant un champ magnétique ayant au moins une composante (b z ) passant à zéro dans au moins un point de l'espace, le détecteur (1) comprenant au moins une première pluralité (31, 32) de capteurs élémentaires à effet hall côte à côte (s i ) pour détecter le point zéro de la composante de champ magnétique (b z ), caractérisé en ce que les détecteurs élémentaires (s i ) sont des détecteurs statiques intégrés de façon voisine l'un de l'autre dans une puce unique d'un corps semiconducteur (2) comprenant un substrat (60) d'un premier type de conductivité ; une région d'isolement de fond (61) du premier type de conductivité recouvrant le substrat ; une couche épitaxiale (62) d'un second type de conductivité opposé recouvrant la région d'isolement de fond, la couche épitaxiale définissant une grande face supérieure (68) du corps semiconducteur ; une région d'isolement supérieur (63, 63') du second type de conductivité opposé amenée à croítre dans la couche épitaxiale et délimitant latéralement au moins une région active (64, 64') dans la couche épitaxiale ; une région d'isolement d'interface (65, 65') du premier type de conductivité amenée à croítre dans la couche épitaxiale et isolant la région active de la couche épitaxiale de la grande face supérieure ; et des régions de contact (66, 66', 67) du second type de conductivité opposé en contact direct avec la région active de la couche épitaxiale.