検索ワード: zout (フランス語 - 英語)

sa première nouvelle, "een zuil van zout" est publiée en 1987.
her first novel "een zuil van zout" was published in 1987.

pour pallier ces inconvénients, une solution consiste à polariser l'amplificateur distribué à travers la terminaison de la ligne de sortie, zout.
[0010] in order to eliminate these disadvantages, one solution consists of biasing the distributed amplifier through the zout output line termination.

a cet effet, l'invention propose un circuit amplificateur très large bande comprenant une cellule d'amplification distribuée connectée à une cellule de polarisation, la cellule d'amplification incluant plusieurs transistors connectés en parallèle entre une ligne de drain et une ligne de grille, terminées chacune à l'une de ses extrémités par une charge (zin, zout), la cellule de polarisation incluant au moins un transistor connecté entre une alimentation et la ligne de drain de la cellule d'amplification, ladite cellule de polarisation présentant une impédance égale à l'impédance de la charge (zout) connectée à l'extrémité de la ligne de drain de la cellule d'amplification, caractérisé en ce que la grille du transistor de la cellule de polarisation est reliée à un pont diviseur de manière à fixer son potentiel de grille, et en ce que la grille et la source dudit transistor sont reliées entre elles par l'intermédiaire d'au moins un condensateur.
[0023] to this end, the invention proposes a very wide band amplifier circuit including a distributed amplification cell connected to a biasing cell, the amplification cell including several transistors connected in parallel between a drain line and a grid line, each terminated at one of its ends by a load (zin, zout), the biasing cell including at least one transistor connected between a power source and the drain line of the amplification cell, said biasing cell having an impedance equal to the impedance of the load (zout) connected to the end of the drain line of the amplification cell, characterized in that the grid of the transistor of the biasing cell is connected to a divider bridge so as to set its grid potential, and in that the grid and the source of said transistor are connected together by means of at least one capacitor.