検索ワード: fouth (英語 - フランス語)

fouth part.
quatrième partie.

the fouth version (2008 @ )
la quatrième version du site (2008 @ )

from 10 to 13 september 2015 and for the fouth...
a l’occasion du centenaire de la première...

first deliveries began in the fouth quarter of 2004.
on prévoit que la première livraison du scil aura lieu en 2003.

the fouth stage describes how the income is consumed and saved, yielding the saving.
la quatrième étape montre la manière dont le revenu est consommé et épargné. elle permet d'obtenir l'épargne.

2000 fouth consecutive negative rate and followed a decline of 2.8% in november 2001.
2000 mois de l'année précédente (voir le tableau 7.8, page 107).

we invite you to discover the fouth issue of cuban national centre for 2014, pelusà n el mensajero.
nous vous invitons à découvrir le troisièmenuméro de l'année 2014 de la revue du centre national cubain, pelusà n el mensajero.

the fouth epitaxial layer has a higher carrier concentration than is present in the first, second and third epitaxial layers
la quatrième couche épitaxiale possède une concentration de porteurs plus importante que celle des première, deuxième et troisième couches épitaxiales

a third segment starts at a relocatable segment wall and grows downward and a fouth segment starts at a relocatable segment wall and grows upward.
un troisième segment commence au niveau d'une paroi de segment pouvant être relocalisé et s'étend vers le bas, et un quatrième segment commence au niveau d'une paroi de segment pouvant être relocalisé et s'étend vers le haut.

obviously the commission has made efforts in some areas by conducting a statistical assessment of assisted projects and by presenting a clear description of the fouth framework programme.
il faut certes reconnaître que la commission s' est appliquée sur certains points, dans l' évaluation statistique des demandes de projets fructueuses et dans la représentation d' ensemble du quatrième programme-cadre.

guide to green government fouth round of sustainable development strategies greening government operations departmental sustainable development strategies international conventions / protocols / agreements
guide de l'écogouvernement quatrième ronde de stratégies pour le développement durable l'écologisation des opérations gouvernementales stratégies ministérielles pour le développement durable conventions, protocoles et accords internationaux

the bowl is sized and configured such that the support member and at least one-fouth of the base can be received within the bowl while the support member is coupled to the base.
le bol est dimensionné et configuré de telle manière que l'organe de support et au moins un quart du socle peuvent être reçus à l'intérieur du bol quand l'organe de support est accouplé sur le socle.

introduction of the combined second to fouth periodic report of fiji (cedaw/c/fji/2-4)
deuxième, troisième et quatrième rapports périodiques combinés des États parties de fidji (cedaw/c/fji/2-4)

chemistry and testing of dairy products (fouth ed.), avi publishing company, westport, conn. pp.176-183.
chemistry and testing of dairy products (quatrième éd.), avi publishing company, westport, conn. pp.176-183.

they express gallantry, tenderness, bitterness, snubs or relief full of passion. the bamba counts four octosyllable verses, the first one and the third one could be heptasyllable and the second one and the fouth pentasyllables.
régulièrement chaque couplet d'un des choeurs est contesté par un autre couplet de l'autre choeur. la bamba a quatre vers octosyllabiques, le premier et le troisième peuvent être heptasyllabiques et le second et le quatrième pentasyllabiques.

a field controlled bipolar switch having a bulk single crystal silicon carbide substrate of a first conductivity type having an upper surface and a lower surface. a first epitaxial layer of a second conductivity type silicon carbide is formed upon the upper surface of the substrate. a second epitaxial layer of the second conductivity type silicon carbide is formed on the first epitaxial layer of silicon carbide. a plurality of regions of a third conductivity type silicon carbide are formed in the second epitaxial layer to form a gate grid in the second epitaxial layer. a third eptiaxial layer of the second conductivity type silicon carbide is formed on the second epitaxial layer and a fourth epitaxial layer of the second conductivity type silicon carbide is formed upon the third epitaxial layer. the fouth epitaxial layer has a higher carrier concentration than is present in the first, second and third epitaxial layers. a first ohmic contact is formed upon the fourth epitaxial layer and a second ohmic contact is formed on the lower surface of the substrate. an ohmic gate contact is connected to the gate grid for pinching off the flow of current between the first ohmic contact and the second ohmic contact when a bias is applied to the ohmic gate contact.
composant bipolaire à effet de champ possédant un substrat en carbure de silicium généralement monocristallin présentant un premier type de conductivité et comportant une surface supérieure et une surface inférieure. on crée une première couche épitaxiale en carbure de silicium présentant un deuxième type de conductivité sur la surface supérieure du substrat. on crée une deuxième couche épitaxiale en carbure de silicium présentant le deuxième type de conductivité sur la première couche épitaxiale en carbure de silicium. on crée une pluralité de zones en carbure de silicium présentant un troisième type de conductivité dans la deuxième couche épitaxiale afin de constituer une grille dans cette dernière couche. on crée une troisième couche épitaxiale en carbure de silicium du deuxième type de conductivité sur la deuxième couche épitaxiale, ainsi qu'une quatrième couche épitaxiale en carbure de silicium du deuxième type de conductivité sur la troisième couche épitaxiale. la quatrième couche épitaxiale possède une concentration de porteurs plus importante que celle des première, deuxième et troisième couches épitaxiales. on crée un premier contact ohmique sur la quatrième couche épitaxiale et un deuxième contact ohmique sur la surface inférieure du substrat. on relie un contact ohmique de grille à la grille afin de couper progressivement l'écoulement de courant entre le premier contact ohmique et le deuxième contact ohmique quand on applique une polarisation au contact ohmique de grille.