전문 번역가, 번역 회사, 웹 페이지 및 자유롭게 사용할 수 있는 번역 저장소 등을 활용합니다.
erasable
vymazateľné
마지막 업데이트: 2014-11-21
사용 빈도: 2
품질:
electrically erasable programmable read only memory
elektricky vymazateľná programovateľná trvalá pamäť
마지막 업데이트: 2014-11-21
사용 빈도: 3
품질:
discs for laser reading systems of a recording capacity exceeding 900 megabytes but not exceeding 18 gigabytes, other than erasable
disky pre laserové čítacie systémy so záznamovou kapacitou presahujúcou 900 megabytov ale nepresahujúcou 18 gigabytov, iné ako vymazateľné
electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): uv erasable, programmable, read only memories (eproms)
elektronické integrované obvody (okrem multičipových obvodov): permanentné programovateľné pamäte vymazateľné ultrafialovými lúčmi (eprom)
mos digital monolithic integrated circuits with uv erasable, programmable, read only memories (eproms) excluding circuits consisting solely of passive elements
digitálne monolitické integrované obvody typu mos s programovateľnou permanentnou pamäťou vymazateľnou uv žiarením (eprom), s výnimkou obvodov pozostávajúcich výhradne z pasívnych elementov
electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): electrically erasable, programmable, read only memories (e2proms), including flash e2proms
elektronické integrované obvody (okrem multičipových obvodov): elektricky vymazateľné programovateľné permanentné pamäte (e2prom) vrátane flash e2prom
manufacturers using programmable computer code systems (e.g. electrical erasable programmable read-only memory, eeprom) shall deter unauthorised reprogramming.
výrobcovia používajúci programovateľné počítačové kódovacie systémy (napr. elektricky vymazateľnú programovateľnú pamäť len na čítanie eeprom) musia zabrániť neoprávnenému preprogramovaniu.
two uv ray-erasable programmable read-only memories (eproms), in the form of a monolittic integrated circuit, each with a 64 k memory and a quartz window in the upper surface,
dve programovateľné permanentné pamäte vymazateľné uv lúčom (eprom), vo forme monolitického integrovaného obvodu každá s pamäťou 64 k a kryštálového okna v hornej ploche,