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the invention discloses several variants of a quantum supertransistor. the inventive supertransistor comprises electrodes with a nanostructured material arranged therebetween, said material being consisted of clusters provided with tunnel-transparent shells. the cluster is dimensioned in such a way that it enables an electron to exhibit resonance properties. said dimension is defined by an annular radius of the electron wave according to the formula r0 = h/(meα2c)=7.2517 nm, where h is the planck constant, m¿e? is the electron mass, α=1/137.036 is a fine structure constant, c is the light speed. the cluster dimension is specified within the range of r0 to 4r0. the thickness of a tunnel-transparent spacing being equal to or higher than r0, thereby making it possible to develop transistors having a minimum dimension of the order of 30 nm. the shape of the electron wave makes it possible to develop a nanostructured material exhibiting quantumdimensional effects, thereby making it possible to produce transistors having an operational temperature equal of up to 325 °c and a limit operational frequency of 350 ghz, and also to create a variform memory and develop all kinds of logic devices capable to memorise a previous condition, the power being turned off.
cette invention concerne plusieurs variantes de supertransistors quantiques. le transistor de la présente invention comporte des électrodes entre lesquelles se trouve un matériau nanostructuré, composé de grappes pourvues d'enveloppes transparentes à effet tunnel. ces grappes sont dimensionnées de sorte qu'un électron puisse présenter des propriétés de résonance. cette dimension est définie par un rayon circulaire de l'onde de l'électron, conformément à la formule r0 = h/ (meα2c) = 7,2517nm, selon laquelle h représente la constante de planck, m¿e? représente la masse de l'électron, α = 1/137,036 est une constante de structure fine, et c représente la vitesse de la lumière. la dimension de la grappe est comprise entre r0 et 4r0, l'épaisseur d'un espace transparent à effet tunnel n'excédant pas r0. cette invention permet le développement de transistors présentant une dimension minimum égale à environ 30nm. la forme de l'onde de l'électron permet de créer un matériau nanostructuré à effets quantiques et dimensionnels, ce qui permet de produire des transistors présentant une température opérationnelle pouvant atteindre 325 °c et une fréquence de fonctionnement maximum de 350 ghz, et de créer une mémoire variée ainsi que toutes sortes de dispositifs logiques pouvant mémoriser un état antérieur lorsque le dispositif est éteint.