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halbleiterspeicherbauelement
semiconductor memory device
마지막 업데이트: 2014-11-28
사용 빈도: 6
품질:
nichtflüchtiges halbleiterspeicherbauelement
non-volatile semiconductor memory device
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
halbleiterspeicherbauelement und verfahren
a 2f?2 memory device system and method
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
halbleiterspeicherbauelement und dessen herstellungsverfahren
semiconductor memory device and method for manufacturing the same
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
halbleiterspeicherbauelement, - system und zugriffsverfahren
semiconductor memory device, system, and method of controlling accessing to memory
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
halbleiterspeicherbauelement und herstellungsverfahren für halbleiterbauelement
semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor device
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
halbleiterspeicherbauelement und verfahren zur herstellung.
semiconductor memory device and method of manufacturing the same.
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
herstellungsverfahren für festwert-mos-halbleiterspeicherbauelement
methode of making a non-volatile mos semiconductor memory device
마지막 업데이트: 2014-11-28
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halbleiterelement und das dieses verwendende halbleiterspeicherbauelement
semiconductor element and semiconductor memory device using the same
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
halbleiterspeicherbauelement mit speicherzellen, logikbereichen und fÜllstrukturen
semiconductor storage component with storage cells, logic areas and filling structures
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
halbleiterspeicherbauelement, dessen herstellungsverfahren und dessen betriebsweise
semiconductor memory device, method of manufacturing the same and method of driving the same
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
nichtflüchtiges sonos-halbleiterspeicherbauelement und dessen herstellungsverfahren
non-volatile sonos semiconductor memory device and method of manufacturing the same
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
halbleiterspeicherbauelement und verfahren zu herstellung und betrieb davon
semiconductor memory device and methods of manufacturing and operating the same
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
nichtflüchtiges halbleiterspeicherbauelement, dessen herstellungsverfahren und dessen betriebsverfahren
nonvolatile semiconductor memory device, process of manufacturing the same and method of operating the same
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
charge-trapping-halbleiterspeicherbauelement mit ladungshaftstellen-speicherzellen
charge trapping semiconductor memory with charge trapping memory cells
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
nichtflüchtiges halbleiterspeicherbauelement, welches die anforderungen an dessen spannungsfestigkeit verringert.
nonvolatile semiconductor memory that eases the dielectric strength requirements.
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
polykristalline speicherstruktur, deren herstellungsverfahren und halbleiterspeicherbauelement die diese struktur verwendet
polycrystalline memory structure, method for forming same structure, and semiconductor memory device using same structure
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
halbleiterspeicherbauelement für digital- und analogspeicheranwendungen mit ein-mosfet-speicherzellen.
semi-conductor memory device for digital and analog memory application using single mosfet memory cells.
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
selbstjustiertes Ätzverfahren zur verwirklichung der wortleitungen integrierter halbleiterspeicherbauelemente
self-aligned etching process to realize word lines of semiconductor integrated memory devices
마지막 업데이트: 2014-11-28
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