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halbleitersensor
capteur semiconducteur
마지막 업데이트: 2014-12-03
사용 빈도: 1
품질:
halbleitersensor.
capteur a semi-conducteurs.
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품질:
chemischer halbleitersensor
dispositif capteur chimique à semi-conducteur
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품질:
geschichteter halbleitersensor mit Überdruckschutz
capteur lamellé à semi-conducteur avec protection contre la surpression
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품질:
gehäuse mit befestigungseinsatz für halbleitersensor
boîtier semi-conducteur à capteur, muni d'un insert de fixation
마지막 업데이트: 2014-12-03
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품질:
halbleitersensor und plattierungsverfahren fÜr ein halbleiterbauelement
detecteur a semi-conducteur et procede de plaquage pour dispositif semi-conducteur
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품질:
halbleitersensor und methode zu dessen herstellung
capteur semi-conducteur et son procédé de formation
마지막 업데이트: 2014-12-03
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품질:
halbleitersensor mit grosser bandlÜcke und isolierender deckschicht
capteur a semi-conducteurs a large ecart energetique presentant une couche superieure isolante
마지막 업데이트: 2014-12-03
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품질:
halbleitersensor mit einem grundkÖrper und wenigstens einem verformungskÖrper
capteur a semi-conducteur pourvu d'un corps de base et d'au moins un corps deformable
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품질:
halbleitersensor unter verwendung von oberflächenplasmonen zur erhöhung der energieabsorption
capteur à semiconducteur utilisant les plasmons de surface pour augmenter l'efficaité d'absorption énergétique
마지막 업데이트: 2014-12-03
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품질:
kapazitiver halbleitersensor mit gelenkig verbundener membran für ebene bewegung
capteur capacitif à semi-conducteur avec diaphragme articulé pour mouvement plan
마지막 업데이트: 2014-12-03
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품질:
halbleitersensor mit einer pixelstruktur sowie verwendung des sensors in einem vakuumsystem
capteur a semi-conducteur pourvu d'une structure a pixels, et utilisation de ce capteur dans un systeme a vide
마지막 업데이트: 2014-12-03
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품질:
kapazitiver halbleitersensor zur messung der physischen grÖsse und verfahren zur herstellung desselben
capteur de quantite physique a semi-conducteur capacitif et procede pour le fabriquer
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품질:
ein gerät nach anspruch 5, worin der halbleitersensor aus sno₂ und zno hergestellt wird.
un appareil selon la revendication 5, dans lequel le dispositif de capteurs semi-conducteurs est constitué de sno₂ et de zno.
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kapazitiver halbleitersensor gemäß anspruch 1, bei dem die zwischenschicht (411g) aus glas besteht.
capteur capacitif à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que: ladite couche intermédiaire est en verre (411g).
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kapazitiver halbleitersensor gemäß anspruch 1, bei dem die zwischenschicht (511g) aus aluminium besteht.
capteur capacitif à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que: ladite couche intermédiaire est en aluminium (511g).
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품질:
halbleitersensor nach anspruch 1, bei dem die zwischenplatte aus glas und die erste sowie die zweite platte aus silizium gefertigt sind.
capteur à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel la plaque intermédiaire est constituée de verre, et la première et la seconde plaques sont constituées de silicium.
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halbleitersensor nach anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die mehreren elastischen träger von der masse aus in radialer richtung verlaufen.
capteur à semi-conducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que la pluralité de supports élastiques s'étend radialement à partir de la masse.
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품질:
halbleitersensor nach einem der ansprüche 1 bis 5, bei dem die zweite platte einen hohlraum aufweist und die masse in dem hohlraum angeordnet ist.
capteur à semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la seconde plaque possède une cavité, et la masse est agencée dans la cavité.
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품질:
kapazitiver halbleitersensor gemäß, anspruch 1, bei dem das dickenverhältnis der zentralen zone zum gelenk (411a) zehn zu eins beträgt.
capteur capacitif à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que: le rapport de l'épaisseur de ladite région centrale par rapport à l'épaisseur de ladite articulation (411a) est de dix pour un.
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