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technik zur bildung eines substrats mit kristallinen halbleiterregionen verschiedener eigenschaften
technique for forming a substrate having crystalline semiconductor regions of different characteristics

ii. die stammanmeldung bezieht sich auf eine halbleitervorrichtung mit einer verbindungsschicht, die halbleiterregionen unterschiedlicher leitfähigkeitstypen miteinander verbindet.
ii. the parent application relates to a semiconductor device with an interconnection layer for interconnecting semiconductor regions of different conductivity types.

"11. eine halbleitervorrichtung, umfassend eine erste halbleiterregion (201) eines ersten leitfähigkeitstyps, eine zweite halbleiterregion (202) eines zweiten leitfähigkeitstyps und eine verbindungsschicht (203), die eine verunreinigung eines zweiten leitfähigkeitstyps enthält, worin
"11. a semiconductor device comprising a first semiconductor region (201) of a first conductivity type, a second semiconductor region (202) of a second conductivity type, and an interconnection layer (203) containing an impurity of a second conductivity type, wherein