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strahlung emittierende halbleiterdiode nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive schicht (3) indiumgalliumphosphid (ingap) aufweist, wobei die zusammensetzung der nachfolgenden formel entspricht: in 0,49 ga 0,51 p, dass der unordnungsgrad derart ist, dass der bandabstand der in 0,49 ga 0,51 p-aktiven schicht (3) 1,88 ev beträgt.
a radiation-emitting semiconductor diode as claimed in claim 1, characterized in that the active layer (3) comprises indium-gallium-phosphide (ingap) having a composition corresponding to in 0,49 ga 0,51 p, in that the degree of disordering is such that the bandgap of the in 0,49 ga 0,51 p active layer (3) is 1,88 ev.