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typ: kh2
type: kh2

kh2 kg5 57.
kh2 kg5 57.

kh2-h1 tf8-f5 24.
kh1 r8f5 24.

kh2 c4 27. d4 txa1 28.
kh2 c4 27. d4 rxa1 28.

de1+ 2.kh2 dxf2 3.ld6!
rxb5 3.c7 re5+ draws) 2...rc5+ 3.kd3!

kh2 a5 18. a4 se7 19. g4 sg6 20.
kh2 a5 18. a4 ne7 19. g4 ng6 20.

akustische oberflächenwellenvorrichtung für eine akustische oberflächenwelle vom 2. mode einer wellenlänge λ (µm), aufweisend: (i) eine diamant-schicht (12), (ii) eine zno-schicht (14), angeordnet auf der diamant-schicht, wobei die zno-schicht eine dicke t besitzt, (iii) einen interdigitalen wandler (idt) (20), angeordnet auf der zno-schicht, wobei der idt eine dicke von t besitzt, und (iv) eine sio -schicht (10), angeordnet über dem interdigitalen wandler auf der zno-schicht, wobei die sio -schicht eine dicke von t besitzt; wobei ein parameter kh3 = 2π (t a /λ) ist: kh3 = 0,132, und wobei ein parameter kh1 = 2π (t z /λ) und ein parameter kh2 = 2π (t s /λ) innerhalb eines bereichs gegeben sind, definiert durch eine obere linie, erhalten durch erhöhen von kh2 von einer primären kombinationslinie (a4-b4-c4-d4-e4-f4-g4) um 10%, und eine untere linie, erhalten durch verringern von kh2 von der primären kombinationslinie (a4-b4-c4-d4-e4-f4-g4) um 10%, in einer zweidimensionalen grafik in kartesischen koordinaten, die eine abszissen-achse kh1 und eine ordinaten-achse kh2 besitzt, wobei die primäre kombinationslinie (a4-b4-c4-d4-e4-f4-g4) aus punkten a4, b4, c4, d4, e4, f4, g4 und linien a4-b4, b4-c4, c4-d4, d4-e4, e4-f4, f4-g4 besteht; wobei a4 gegeben ist durch (kh1=0,600, kh2=0,755); wobei b4 gegeben ist durch (kh1=0,800, kh2=0,803); wobei c4 gegeben ist durch (kh1=0,900, kh2=0,837); wobei d4 gegeben ist durch (kh1=1,000, kh2=0,877); wobei e4 gegeben ist durch (kh1=1,100, kh2=0,922); wobei f4 gegeben ist durch (kh1=1,200, kh2=0,972); und wobei g4 gegeben ist durch (kh1=1,400, kh2=1,083).
a surface acoustic wave device for 2nd mode surface acoustic wave of a wavelength λ (µm) comprising: (i) a diamond layer (12), (ii) a zno layer (14) disposed on said diamond layer, said zno layer having a thickness t , (iii) an interdigital transducer (idt) (20) disposed on said zno layer, said idt having a thickness of t , and (iv) a sio layer (10) disposed over said interdigital transducer onto said zno layer, said sio layer having a thickness of t ; wherein a parameter kh3 = 2π(t a /λ) is kh3 = 0.132; and wherein a parameter kh1 = 2π(t z /λ) and a parameter kh2 = 2π(t s /λ) are given within a region defined by an upper line obtained by increasing kh2 from a primary combination line (a4-b4-c4-d4-e4-f4-g4) by 10 % and a lower line obtained by decreasing kh2 from said primary combination line (a4-b4-c4-d4-e4-f4-g4) by 10%, in a two-dimensional cartesin coordinate graph having abscissa axis of kh1 and ordinate axis of kh2, said primary combination line (a4-b4-c4-d4-e4-f4-g4) consisting of points a4, b4, c4, d4, e4, f4, g4 and lines a4-b4, b4-c4, c4-d4, d4-e4, e4-f4, f4-g4; said a4 being given by (kh1=0.600, kh2=0.755); said b4 being given by (kh1=0.800, kh2=0.803); said c4 being given by (kh1=0.900, kh2=0.837); said d4 being given by (kh1=1.000, kh2=0.877); said e4 being given by (kh1=1.100, kh2=0.922); said f4 being given by (kh1=1.200, kh2=0.972); and said g4 being given by (kh1=1.400, kh2=1.083).