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faseroptische verbindungen mit selbstausgerichteten kernvorsprÜngen
optical fiber interconnections using self-aligned core extensions

verfahren zur herstellung einer selbstausgerichteten nichtflÜchtigen speicherzelle
method of fabricating a self-aligned non-volatile memory cell

herstellungsverfahren einer selbstausgerichteten photodiode für einen cmos-bildaufnahmesensor
method of making a self-aligned photodiode for cmos image sensor

verfahren zur herstellung eines selbstausgerichteten bipolartransistors und diesbezÜgliche struktur
method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

halbleitervorrichtung mit einem relativ zu einem vergrabenen subkollektor selbstausgerichteten kontakt.
semiconductor device with self-aligned contact to buried subcollector.

charakterisierung von biochips mit selbstausgerichteten monoschichten mittels maldi-tof-ms
characterization of biochips containing self-assembled monolayers with maldi-tof-ms

mehrschichtige struktur aus photopoymer zur formierung einer selbstausgerichteten doppelten vertiefung in gaas.
photopolymer multilayer structure for the production of a gaas self aligning double recess.

verfahren zum herstellen einer integrierten schaltung mit einer selbstausgerichteten gate-elektrode.
method of manufacturing a semiconductor device having a self-aligned gate electrode.

verfahren zum herstellen eines integrierten isolierschicht-feldeffekttransistors mit zur gateelektrode selbstausgerichteten kontakten.
method of making an integrated insulated-gate field-effect transistor having self-aligned contacts in respect of the gate electrode.

anwendung von deep-junction-, nicht selbstausgerichteten transistoren zur unterdrückung von heissen ladungsträgern.
application of deep-junction non-self-aligned transistors for suppressing hot carriers.

herstellungsverfahren für die herstellung einer cmos-vorrichtung mit selbstausgerichteten erhöhten source/drain-gebieten
method to form cmos device with self-aligned raised source/drain regions

verfahren zur herstellung einer komplementären bipolaren transistorstruktur, welche einen selbstausgerichteten vertikalen pnp-transistor enthält.
method for performing a complementary bipolar transistor structure including a self-aligned vertical pnp transistor.

selbstausgerichtete überlappungslose gatestruktur eines ladungsspeicherelementes.
self aligned zero overlap charge coupled device.