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synchrone halbleiter-speichervorrichtung nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das pseudointernbefehl-signal synchron mit einem extern eingegebenen asynchronen signal erzeugt wird.
dispositif de mémoire à semi-conducteur synchrone selon la revendication 1, caractérisé en ce que le signal de commande pseudo-interne est généré, en synchronisation avec un signal asynchrone entré de l'extérieur.
Laatste Update: 2014-12-03
Gebruiksfrequentie: 1
Kwaliteit:
synchrone halbleiter-speichervorrichtung nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine testschaltung vorgesehen ist zum erzeugen des pseudointernbefehl-signals in Übereinstimmung mit dem internen steuersignal.
dispositif de mémoire à semi-conducteur synchrone selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' un circuit de test est prévu pour générer le signal de commande pseudo-interne en fonction du signal de commande interne.
Laatste Update: 2014-12-03
Gebruiksfrequentie: 1
Kwaliteit:
synchrone halbleiter-speichervorrichtung nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das pseudointernbefehl-signal durch ein eingabesignal (14) erzeugt wird, das an einem nicht-bonding-pad eingegeben wird.
dispositif de mémoire à semi-conducteur synchrone selon la revendication 1, caractérisé en ce que le signal de commande pseudo-interne est généré par un signal d'entrée (14) entré dans une plage sans contact.
Laatste Update: 2014-12-03
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