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photovoltaische zelle (1), umfassend ein substrat (2) mit einer supportseite (4), auf der sich eine erste elektrode (6) erstreckt, und eine zweite elektrode (10), die von der ersten elektrode (6) durch eine mehrzahl von schichten (14, 16; 14, 24, 16) getrennt ist, die mindestens eine erste schicht (14) eines halbleitermaterials umfaßt, an dessen grenzfläche sich eine aktive sperrschicht (j) befindet, die eine abgewickelte oberfläche besitzt, die größer ist als ihre projektionsfläche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste elektrode (6) eine gleichförmige schicht (18), gebildet aus einem leitenden material, und eine poröse schicht umfaßt, gebildet aus kolloidalen leitenden partikeln (20), die eine abgewickelte oberfläche besitzt, die größer ist als ihre projektionsfläche, und über der sich nacheinander die genannten schichten (14, 16; 14, 24, 16) und die zweite elektrode (10) erstrecken, und daß die erste schicht (14) aus halbleitermaterial eine dicke aufweist, die kleiner oder gleich der hälfte der breite der poren (22) der porösen schicht ist. zelle nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive sperrschicht (j) einen rauhigkeitsfaktor in der größenordnung von 2000 aufweist. zelle nach anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die kolloidalen leitenden partikel (20) einen durchmesser haben, der zwischen 1 und 200 nanometern liegt.
cellule photovoltaïque (1) comprenant un substrat (2) comportant une face de support (4) sur laquelle s'étend une première électrode (6), et une deuxième électrode (10) séparée de la première électrode (6) par une pluralité de couches (14, 16; 14, 24, 16) comportant au moins une première couche (14) d'un matériau semiconducteur à une interface de laquelle se trouve une jonction active (j) qui présente une surface développée supérieure à sa surface projetée, caractérisée en ce que ladite première électrode (6) comprend une couche uniforme (18) formée d'un matériau conducteur et une couche poreuse formée de particules colloïdales conductrices (20) qui présente une surface développée supérieure à sa surface projetée et au-dessus de laquelle s'étendent successivement lesdites couches (14, 16; 14, 24, 16) et ladite deuxième électrode (10), et en ce que ladite première couche (14) de matériau semiconducteur a une épaisseur inférieure ou égale à la moitié de la largeur des pores (22) de ladite couche poreuse. cellule selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite jonction active (j) présente un facteur de rugosité de l'ordre de 2000.