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oberflaechenrauhigkeit und lage der kristallographischen achsen des diamants
rugosità superficiale e posizione degli assi cristallografici del diamante

4 : millersche indizes der wichtigsten kristallographischen flächen : lage und bezeichnung einiger wichtiger netzebenen.
4 : indice di miller delle principali facce cristallografiche posizione di alcuni piani principali e loro notazione.

nadeliges gefÜge, das durch die bildung einer neuen phase in bestimmten kristallographischen ebenen der grundmatrix entsteht.
operazioni combinate di deformazione plastica e di trattamento termico alle quali viene sottoposta l'austenite prima o durante la sua trasformazione, allo scopo di conferire delle proprietà particolari ai suoi prodotti di decomposizione.

zur räumlichen festlegung einer belie­bigen kristallfläche werden die schnitt­punkte dieser fläche mit den drei kristallographischen achsen herangezogen; die festgestellten werte sind den abständen zwischen den gitterpunkten propor­tional.
per determinare la posizione che una delle facce del cristallo occupa nello spazio, si misurano i tre parametri definiti dall'intersezione della faccia con i tre assi cristallografici; i valori trovati sono proporzionali alle distanze tra i nodi.

die verschiedenen kristallographischen richtungen erscheinen mehr oder weniger „offen", d.h. die eindringenden ionen werden mehr oder weniger kanalisiert.
si nota come direzioni cristallografiche diverse si presentano più o meno aperte, vale a dire che canalizzano più o meno facilmente gli ioni incidenti.

b) die projektion der bahnen von ionen, die parallel zu einer kristallographischen achse gerichtet sind, auf eine senkrecht zur einfalls­richtung liegende ebene zeigt deutlich das phänomen der kanalisierung.
b) la proiezione su un piano perpendicolare alla direzione di incidenza delle traiettorie di ioni diretti parallelamente ad un asse cristal­lografico, mostra chiaramente il fenomeno della canaiizzazzione.

des fremdatoms und den verschiedenen kristallographischen richtungen in einem gegebenen target nur sehr schwer berechnen. bis heute gibt es noch kein verfahren, um rmaxmit ausreichender annäherung zu berech­nen, doch wird an diesem problem intensiv gearbeitet.
la condizione che la componente trasversale dell'energia sia minore del potenziale repulsivo, limita evidentemen­te l'angolo di incidenza dello ione ri­spetto all'asse del canale.

kristallografische | kristallographische gitterkonstante
costante cristallografica del reticolo