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numerous organelles are responsible for the relatively high electronic density.
les organites, nombreux, donnent à l'ensemble une densité électronique relativement élevée.

the subsequent reduction in core losses allows for very high electronic frequency operation and thus a high power density
la réduction subséquente dans les pertes de coeur permet d'obtenir un fonctionnement à une fréquence électronique très élevée et d'obtenir, par conséquent, une densité de puissance élevée

the subsequent reduction in core losses allows for very high electronic frequency operation and thus a high power density.
la réduction subséquente dans les pertes de coeur permet d'obtenir un fonctionnement à une fréquence électronique très élevée et d'obtenir, par conséquent, une densité de puissance élevée.

method for rapid and uniform heating of a multilayer assembly comprising at least a thin layer of ion conducting macromolecular material interleaved between two structures with high electronic conduction
procede de chauffage rapide et uniforme d'un ensemble multicouche comportant au moins une couche mince a base d'un materiau macromoleculaire a conduction ionique intercalee entre deux structures a conduction electronique elevee

a memory cell as claimed in claim 12, wherein the barrier layer is made of materials with high electronic conductivity and low ion conductivity.
cellule de mémoire selon la revendication 12, dans laquelle la couche barrière est faite de matières ayant une conductivité électronique élevée et une conductivité ionique faible.

however, as absorber layers must have a high electronic quality and a low defect quotient up to now no solar cells with satisfactory efficiency have been able to be produced using magnetron sputtering due to the high energy particle and ion bombardment of the layer for production
cependant, du fait que les couches absorbantes doivent être d'une haute qualité électronique et, en conséquence, à faible pourcentage de défauts, il n'a pas été possible jusqu'à présent, de produire par pulvérisation magnétron réactive, des cellules solaires à des rendements satisfaisants, par suite du bombardement ionique et particulaire à haute énergie de la couche à produire

in this manner, a high electronic quality thin film of a layered superlattice material is fabricated without a high-temperature oxygen anneal.
cette façon de procéder permet de fabriquer un film mince de haute qualité électronique dans un matériau super-réseau en couches, et ce, sans recuit haute température sous atmosphère d'oxygène.

a digital power amplifier (or power switching amplifier or power switch) (104) for use in a digital transmitter (100) includes a low impedance multi-stage driver circuit (202) having a low impedance pre-driver (208) and a low impedance driver (210). the drive circuit (202) drives a power switch stage (204) having two power transistors (ql, q2) configured in a current mode class-d push-pull configuration. utilization of gallium nitride (gan) transistors or pseudomorphic high electronic mobility transistors (phemt) (or combination thereof) and sizing the transistors progressively larger in the driver (210) than in the pre-driver (208) (at least about 3x) provides a reduction in output impedance of the driver circuit (202) and progressive increase in the power driving capability of the each of the succeeding stages. this allows the use of a power amplifier (102) at higher frequencies without altering or affecting the power efficiency and allows use of a digital power amplifier (104) for the digital transmitter (100).
l'invention concerne un amplificateur de puissance numérique (ou amplificateur de commutation de puissance ou commutateur de puissance) (104) pour émetteur numérique (100) contenant un circuit de commande à plusieurs étages (202) à faible impédance ayant un dispositif de pré-excitation (208) à faible impédance et un dispositif de commande (210) à faible impédance. le circuit de commande (202) commande un étage de commutation de puissance (204) contenant deux transistors de puissance (q1, q2) conçus selon une configuration push-pull de classe d en mode de courant. l'utilisation de transistors au nitrure de gallium (gan) ou de transistors pseudo morphiques à mobilité électronique élevée (phemt) (ou leurs combinaisons) et le dimensionnement des transistors toujours plus grands dans le dispositif de commande (210) que dans le dispositif de pré-excitation (208) (au moins environ 3 fois) permet de réduire l'impédance de sortie du circuit de commande (202) et d'augmenter progressivement la capacité de commande de puissance de chacun des étages successifs. cela permet d'utiliser un amplificateur de puissance (102) à des fréquences supérieures sans modifier ni affecter le rendement de puissance et d'utiliser un amplificateur de puissance numérique (104) pour l'émetteur numérique (100).