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do i distrub you?
est ce que je te dérange?
Laatste Update: 2023-05-24
Gebruiksfrequentie: 1
Kwaliteit:
do not remove or distrub artifacts, bones or other cultural remains.
ne déplacez pas les artegacts, les os et les autres vestiges culturels.
Laatste Update: 2015-05-14
Gebruiksfrequentie: 1
Kwaliteit:
the assembly formed by the ferromagnetic member 20 and target 23 shown in this drawing is placed in a not shown vacuum enclosure, so as not to distrub the movement of the electrons and the electron-target interaction.
l'ensemble formé par la pièce ferromagnétique 20 et la cible 23 représenté sur cette figure est placé dans une enceinte sous vide (non représentée), pour ne pas perturber le mouvement des électrons et l'interaction électrons-cible.
Laatste Update: 2014-12-03
Gebruiksfrequentie: 1
Kwaliteit:
emergence of sanding dust is not ideal as it pollutes the air and clourd distrub work practice, contaminating the workplace and negatively affects the entire environment from. for this work, schuko has developed sanding tables:
l'émergence au cours de la poussière de ponçage est ennuyeux, pollue l'air, perturbant le flux de travail, la contamination du milieu de travail et affecte négativement l'ensemble du milieu de. pour ce travail a mis au point schuko y compris les tables d'aspiration des poussières de ponçage:
Laatste Update: 2018-02-13
Gebruiksfrequentie: 1
Kwaliteit:
in a non-volatile memory, the displacement current generated in non-selected word lines that results when the voltage levels on an array's bit lines are changed can result in distrubs. techniques for reducing these currents are presented. in a first aspect, the number of cells being simultaneously programmed on a word line is reduced. in a non-volatile memory where an array of memory cells is composed of a number of units, and the units are combined into planes that share common word lines, the simultaneous programming of units within the same plane is avoided. multiple units may be programmed in parallel, but these are arranged to be in separate planes. this is done by selected the number of units to be programmed in parallel and their order such that all the units programmed together are from distinct planes, by comparing the units to be programmed to see if any are from the same plane, or a combination of these. in a second, complementary aspect, the rate at which the voltage levels on the bit lines are changed is adjustable. by monitoring the frequency of disturbs, or based upon the device's application, the rate at which the bit line drives change the bit line voltage can be adjusted. this can be implemented by setting the rate externally, or by the controller based upon device performance and the amount of data error being generated.
dans une mémoire non volatile, le courant de déplacement généré dans des lignes de mots non sélectionnées qui apparaît lorsque les niveaux de tension sur des lignes de bit du réseau sont changées peut produire des perturbations. des techniques permettant de réduire ces courants sont présentées. selon un premier aspect, le nombre de cellules qui sont simultanément programmées sur une ligne de mot est réduit. dans une mémoire non volatile dans laquelle un réseau de cellules de mémoire est constitué d'un nombre d'unités qui sont elles-mêmes combinées dans des plans qui partagent des lignes de mot communes, la programmation simultanée des unités dans le même plan est évitée. plusieurs unités peuvent être programmées en parallèle mais ces dernières sont arrangées pour se trouver dans des plans séparés. pour ce faire, on sélectionne le nombre d'unités devant être programmées en parallèle et l'ordre de ces dernières de sorte que toutes les unités programmées ensemble proviennent de plans distincts, au moyen de la comparaison des unités devant être programmées pour voir si elles proviennent du même plan ou d'une combinaison de ces plans. dans un deuxième aspect, complémentaire, la vitesse à laquelle les niveaux de tension sur les lignes de bit sont changés, est réglable. il est possible de régler la vitesse à laquelle la ligne de bit modifie la tension de la ligne de bit si on surveille la fréquence des perturbations ou si on se réfère à l'application du dispositif. pour atteindre ce résultat, on peut régler la vitesse depuis l'extérieur ou au moyen du dispositif de commande en fonction de l'efficacité du dispositif et de la quantité d'erreurs sur les données qui sont générées.
Laatste Update: 2011-07-27
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Kwaliteit: