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styroline-fzp .
schalungssysteme .

a beam scanner is included to provide a more uniform illumination of the fzp by the laser beam
un dispositif de balayage à faisceau assure un éclairage plus uniforme du pzf par le faiscau laser

a dynamically variable fresnel zone plate (fzp) represents one application of the invention.
une plaque zonale de fresnel à variations dynamiques constitue une application de la présente invention.

the flc slm is programmed to perform as a fresnel zone plate, fzp, with a plurality of different programmable focal lengths
on programme le flc slm pour qu'il agisse comme une plaque à zone de fresnel (fzp) comprenant différentes distances focales programmables

the flc slm is programmed to perform as a fresnel zone plate, fzp, with a plurality of different programmable focal lengths.
on programme le flc slm pour qu'il agisse comme une plaque à zone de fresnel (fzp) comprenant différentes distances focales programmables.

a non-mechanical beam deflector (figs. 21a-23b) forms and scans a beam of millimeter wave (mmw) radiation, from a mmw source (268), at a rapid rate. the beam deflector includes a semiconductor body (160, 280) in which a spatially varying density of charge carriers is selectively injected, e.g., through selective optical exposure by means of an led array (262). the injected charge carriers - electrons and/or holes - alter the dielectric constant of the semiconductor body (160, 180) locally and thereby attenuate and reflect incident mmw radiation. the portions of the semiconductor body that do not have carriers injected therein allow the incident mmw radiation to be transmitted. the semiconductor body, modified with a spatially varying density of charge carriers, diffracts the radiation which passes through it into a beam. the beam may be scanned across space through selective control of the injected charge carriers, achieved, e.g., by appropriate control of the led array (262) by an led control circuit (265). the diffractive conditions can be rapidly reconfigured. the spatially varying density of charge carriers may be induced optically into the semiconductor body, or directly injected using opposing p- and n-type contacts forming a p-n junction. a dynamically variable fresnel zone plate (fzp) represents one application of the invention.
un déflecteur de faisceau non mécanique (figures 21a, 23b) forme et balaie un faisceau de rayonnement d'ondes millimétriques, depuis une source d'ondes millimétriques (268), à une vitesse rapide. le déflecteur de faisceau comporte un corps semi-conducteur (161, 280) dans lequel une densité, variant dans l'espace, de porteurs de charge est sélectivement injectée, par exemple, par exposition optique sélective à l'aide d'une rangée de diodes électroluminescentes (262). les porteurs de charge injectés, à savoir électrons et/ou trous, modifient localement la constante diélectrique du corps semi-conducteur (161, 180) et ainsi atténuent et réfléchissent le rayonnement d'ondes millimétriques incident. les parties du corps semi-conducteur, dans lesquelles ne sont pas injectés de porteurs de charge, permettent la transmission du rayonnement d'ondes millimétriques incident. le corps semi-conducteur, modifié à l'aide d'une densité, variant dans l'espace, de porteurs de charge, diffracte le rayonnement qui le traverse, et forme un faisceau. ce dernier peut être balayé à travers l'espace par modulation sélective des porteurs de charge injectés, réalisée par exemple par commande appropriée de la rangée de diodes électroluminescentes (262) à l'aide d'un circuit de commande (265) prévu à cet effet. les conditions diffractives peuvent être rapidement reconfigurées. la densité, variable dans l'espace, des porteurs de charge peut être induite optiquement dans le corps semi-conducteur, ou bien directement injectée à l'aide de contacts opposés des types p et n formant une jonction pn. une plaque zonale de fresnel à variations dynamiques constitue une application de la présente invention.