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hobr
hobr

·h2o and hobr
·h2o et de hobr

the geometrical structures and the vibrational spectra of the hobr
on a calculé, théoriquement au niveau dft, les structures géométriques et les spectres de vibration des agrégats de hobr

process according to claim 6 or 7 wherein said active bromine species is hobr.
procédé selon la revendication 6 ou 7, dans lequel ledit type de bromure actif est hobr.

the binding energies were also determinated for these hobr hydrated clusters, showing that the addition of a water molecule to the hobr
on a également déterminé les énergies de liaison de ces agrégats de hobr hydratés, en montrant que l'addition d'une molécule d'eau aux hobr

the results showed that the interaction involving the h of the hobr and the o of the water molecule represent the preferred arrangements for these hydrated compounds.
les résultats montrent que l'interaction impliquant le h du hobr et le o de la molécule d'eau représente les arrangements privilégiés de ces composé hydratés.

the comparison of our hobr calculated results with the hobr experimental values points out that the bp and pbp methods are as good as other ab initio and dft methods related in the literature employing extended basis sets.
la comparaison des valeurs que nous avons calculées pour hobr avec les valeurs expérimentales correspondantes suggère que les méthodes bp et pbp sont aussi bonnes que d'autres méthodes ab initio et dft apparentées de la littérature qui font appel à des ensembles de base élargis.

a process according to claim 4 wherein the process is terminated before the molar concentration of hocl exceeds 10% of the molar concentration of hobr.
procédé selon la revendication 4 où le procédé est terminé avant que la concentration molaire de hocl ne dépasse 10% de la concentration molaire de hobr.

a method and apparatus for cleaning residue from components of semiconductor processing systems used in the fabrication of microelectronic devices. to effectively remove residue, the components are contacted with a gas-phase reactive material for sufficient time and under sufficient conditions to at least partially remove the residue. when the residue and the material from which the components are constructed are different, the gas-phase reactive material is selectively reactive with the residue and minimally reactive with the materials from which the components of the ion implanter are constructed. when the residue and the material from which the components are constructed is the same, then the gas-phase reactive material may be reactive with both the residue and the component part. particularly preferred gas-phase reactive materials utilized comprise gaseous compounds such as xef2, xef4, xef6, nf3, if5, if7, sf6, c2f6, f2, cf4, krf2, cl2, hcl, clf3, clo2, n2f4, n2f2, n3f, nfh2, nh2f, hobr, br2, c3f8, c4f8, c5f8, chf3, ch2f2, ch3f, cof2, hf, c2hf5, c2h2f4, c2h3f3, c2h4f2, c2h5f, c3f6, and organochlorides such as cocl2, ccl4, chcl3, ch2cl2 and ch3cl.
la présente invention concerne un procédé et un appareil servant à nettoyer les résidus provenant des composants de systèmes de traitement de semi-conducteurs dans la fabrication de dispositifs micro-électroniques. pour retirer efficacement les résidus, les composants sont mis en contact avec un matériau réactif en phase gazeuse pendant une période suffisante et dans des conditions suffisantes pour retirer au moins partiellement le résidu. lorsque le résidu et le matériau dont sont constitués les composants sont différents, le matériau réactif en phase gazeuse est sélectivement réactif avec le résidu et minimalement réactif avec les matériaux dont sont constitués les composants de l'implanteur d'ions. lorsque le résidu et le matériau dont sont constitués les composants sont identiques, le matériau réactif en phase gazeuse peut être réactif aussi bien avec le résidu qu'avec la partie du composant. les matériaux réactifs en phase gazeuse particulièrement préférés comprennent des composés gazeux comme xef2, xef4, xef6, nf3, if5, if7, sf6, c2f6, f2, cf4, krf2, cl2, hcl, clf3, clo2, n2f4, n2f2, n3f, nfh2, nh2f, hobr, br2, c3f8, c4f8, c5f8, chf3, ch2f2, ch3f, cof2, hf, c2hf5, c2h2f4, c2h3f3, c2h4f2, c2h5f, c3f6, et des organochlorures comme cocl2, ccl4, chcl3, ch2cl2 et ch3cl.