Je was op zoek naar: chalcogenides (Engels - Russisch)

study of the regularities of formation and mechanisms of influence of structure on the properties of tem based on bi and sb chalcogenides, obtained by the extrusion
Изучение закономерностей формирования и влияния структуры на свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов bi и sb, полученных методом экструзии

*september 1966: stanford ovshinsky files first patent on phase change technology*january 1969: charles h. sie published a dissertation at iowa state university on chalcogenide phase change memory device*june 1969: us patent 3,448,302 (shanefield) licensed to ovshinsky claims first reliable operation of pram device*september 1970: gordon moore publishes research in electronics magazine*june 1999: ovonyx joint venture is formed to commercialize pram technology*november 1999: lockheed martin works with ovonyx on pram for space applications*february 2000: intel invests in ovonyx, licenses technology*december 2000: st microelectronics licenses pram technology from ovonyx*march 2002: macronix files a patent application for transistor-less pram*july 2003: samsung begins work on pram technology*2003 through 2005: pram-related patent applications filed by toshiba, hitachi, macronix, renesas, elpida, sony, matsushita, mitsubishi, infineon and more*august 2004: nanochip licenses pram technology from ovonyx for use in mems probe storage*august 2004: samsung announces successful 64 mbit pram array*february 2005: elpida licenses pram technology from ovonyx*september 2005: samsung announces successful 256 mbit pram array, touts 400 µa programming current*october 2005: intel increases investment in ovonyx*december 2005; hitachi and renesas announce 1.5 v pram with 100 µa programming current*december 2005: samsung licenses pram technology from ovonyx*july 2006: bae systems begins selling the first commercial pram chip*september 2006: samsung announces 512 mbit pram device*october 2006: intel and stmicroelectronics show a 128 mbit pram chip*december 2006: ibm research labs demonstrate a prototype 3 by 20 nanometers*january 2007: qimonda licenses pram technology from ovonyx*april 2007: intel's chief technology officer justin rattner is set to give the first public demonstration of the company's pram (phase-change ram) technology*october 2007: hynix begins pursuing pram by licensing ovonyx' technology*february 2008: intel and stmicroelectronics announce four-state mlc pram and begin shipping samples to customers.
* Сентябрь 1966: Стэнфорд Овшинский получил первый патент, касающийся технологии фазового перехода* Июнь 1969: Патент под номером 3,448,302, выданный Овшинскому, ознаменовал появление первой устойчиво функционирующей памяти на основе фазового перехода* Сентябрь 1970: Гордон Мур публикует свои исследования в журнале electronics* Июнь 1999: ovonyx присоединяется к рискованному мероприятию по созданию коммерческой pram-технологии* Ноябрь 1999: lockheed martin начинает работу совместно с ovonyx над pram для применения в космической отрасли* Февраль 2000: intel вкладывает средства в ovonyx, лицензирует технологию* Декабрь 2000: st microelectronics лицензирует pram-технологию у ovonyx* Март 2002: macronix получает патент на бестранзисторную pram* Июль 2003: samsung начинает работы над pram-технологией* с 2003 по 2005: Патенты, связанные с pram, получают toshiba, hitachi, macronix, renesas, elpida, sony, matsushita, mitsubishi, infineon и другие компании* Август 2004: nanochip лицензирует pram-технологию у ovonyx для использования в устройствах хранения на базе МЭМС* Август 2004: samsung демонстрирует работающий 64-Мбитный pram-массив* Февраль 2005: elpida лицензирует pram-технологию у ovonyx* Сентябрь 2005: samsung демонстрирует работающий 256-Мбитный pram-массив, обращая внимание на программируемый заряд в 400µa* Октябрь 2005: intel увеличивает инвестиции в ovonyx* Декабрь 2005; hitachi и renesas демонстрируют 1.5-вольтную pram-память с программируемым зарядом в 100µa* Декабрь 2005: samsung лицензирует pram-технологию у ovonyx* Июль 2006: bae systems начинает продажи первого коммерческого pram-чипа, радиационно упрочненной c-ram 512kx8* Сентябрь 2006: samsung анонсирует 512-Мбитное pram-устройство* Октябрь 2006: intel и stmicroelectronics демонстрируют 128-Мбитный pram-чип* Декабрь 2006: ibm research labs демонстрирует прототип 3, выполненный по технологии 20 нанометров* Январь 2007: qimonda лицензирует pram-технологию у ovonyx* Апрель 2007: Директор по технологиям intel Джастин Рэттнер уполномочен провести первую публичную демонстрацию разработок компании в области pram-технологии* Октябрь 2007: hynix начинает заниматься pram-путем лицензирования технологии у ovonyx* Февраль 2008: intel и stmicroelectronics анонсируют четырёхпозиционную (т.е.