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frite
pommes frites

la frite
der braten

moule frite
moules-frites

procede de production de denree alimentaire frite
verfahren zur herstellung von frittierten nahrungsmittel

procede pour preparer des bretzels en forme de frite
verfahren zur herstellung von brezelchip

procede de production d'une denree alimentaire emballe renfermant une garniture sechee non frite
verfahren zur herstellung von umhÜllten nahrungsmitteln mit trockener, nichtfettgebackener fÜllung

après refroidissement, une matière solide est obtenue, qui peut être frite et qui est stable à la chaleur.
nach dem abkühlen entsteht eine feste masse, die dann frittierbar und hitzestabil ist.

la pomme de terre utilisée pour faire la parfaite frite britannique est très différente de celle que les suisses aiment préparer rissolée."
umständen ungeeignet für lokale märkte. die kartoffel,

si gillette utilise cette possibilité, elle devrait veiller à ce qu'une offre identique soit frite à tous les autres détenteurs de participation.
gillette liefert dafür keine wilkinson-artikel in die gemeinschaften oder die usa und verpflichtet sich zugleich, keine artikel dieser marke bewußt in die gemeinschaft zu liefern.

chips frite comprenant : un mélange frit d'un produit de soja comestible et d'huile de pépins de raisin.
gebratener chip, der folgendem umfasst: eine gebratene mischung aus einem essbaren sojaprodukt und traubenkernöl.

33. pâtisserie pour petit déjeûner suivant la revendication 30, caractérisée en outre en ce que l'enveloppe de pâte cuite est une enveloppe de pâte frite.
33. frühstücksgebäck nach anspruch 30, weiter dadurch gekennzeichnet, daß die gebackene teighülle eine bratteighülle ist.

préparation alimentaire rapide salée, caractérisée en ce qu'elle a été frite dans l'huile de friture de la revendication 7, de préférence frites ou chips.
salzhältiger snack, dadurch gekennzeichnet, daß er in dem Öl zum braten gemäß anspruch 8 gebraten worden ist und daß es sich dabei vorzugsweise um pommes frites oder um kartoffelchips handelt.

la méthode en accord avec la revendication 1, caractérisée en ce que la feuille de pâte est au moins partiellement frite tout en étant restreinte, excepté au niveau d'une partie adjacente au bord de la feuille.
2. verfahren nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das teigblatt mindestens teilweise frittiert wird, während es, ausgenommen in einem an den rand des blattes anschließenden bereich, eingeengt wird.

chips frite telle que dans la revendication 1, où le pourcentage en poids d'huile de pépins de raisin est d'entre 25% et 50%.
gebratener chip nach anspruch 1, wobei der prozentuale gewichtsanteil von traubenkernöl zwischen 25 % und 50 % liegt.

agencement de détection de surchauffe pour détecter la surchauffe d'un circuit intégré de puissance, comprenant : un circuit de puissance intégré dans un substrat semi-conducteur (11) ; et un circuit de détection de surchauffe, qui inclut : -- une jonction pn à polarisation inverse (1 ; 13, 16) formée dans le même substrat semi-conducteur que ledit circuit de puissance et présentant un courant de frite inverse qui dépend de la température ; -- des éléments de tension (2 ; 17, 18, 22 ; 121 ; 122) formés sur le même substrat semi-conducteur que ledit circuit de puissance et couplé a ladite jonction pn (1 ; 13, 16) pour produire une tension (vc) qui dépend du courant de frite inverse, lesdits éléments de tension (2 ; 17, 18, 22 ; 121 ; 122) étant formés par un transistor mosfet, ou par une couche de résistance ; et -- des éléments de seuil (5) connectés pour recevoir la tension et pour produire un signal lorsque la tension dépasse une tension de seuil pour indiquer que ledit circuit de puissance est surchauffé ; dans lequel la jonction pn à polarisation inverse (1 ; 13 ; 16) est directement connectée, par l'une de ses bornes, avec le potentiel de terre, et les éléments de tension (2 ; 17, 18, 22 ; 121 ; 122) sont directement connectés, par l'une de leurs bornes, à une tension de source (vdd) et, par leur autre borne, à la jonction pn.
Überhitzungsdetektionsanordnung zum detektieren einer Überhitzung einer integrierten leistungsschaltung, die aufweist: eine leistungsvorrichtung, die in einem halbleitersubstrat (11) integriert ist; und eine Überhitzungsdetektionsschaltung, die enthält: einen in sperrrichtung vorgespannten pn-Übergang (1; 13, 16), der in demselben halbleitersubstrat wie die leistungsvorrichtung ausgebildet ist und einen leckstromfluss in sperrichtung aufweist, der temperaturabhängig ist; ein spannungsmittel (2; 17, 18, 22; 121; 122), das auf demselben halbleitersubstrat wie die leistungsvorrichtung ausgebildet ist und mit dem pn-Übergang (1; 13, 16) gekoppelt ist zum erzeugen einer spannung (v c ), die proportional zu dem leckstromfluss in sperrrichtung ist, wobei das spannungsmittel (2, 17, 18, 22; 121; 122) aus einem mosfet oder einer widerstandsschicht ausgebildet ist; und ein schwellwertmittel (5), das verbunden ist zum empfangen der spannung und erzeugen eines signales, wenn die spannung eine schwellspannung überschreitet, um anzuzeigen, dass die leistungsvorrichtung überhitzt ist, bei der der in sperrichtung vorgespannte pn-Übergang (1; 13, 16) mit seinem einen anschluss direkt mit einem massepotential verbunden ist und das spannungsmittel (2; 17, 18, 22; 121; 122) mit seinem einen anschluss mit einem source-potential (vdd) und mit seinem anderen anschluss mit dem pn-Übergang direkt verbunden ist.