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i gas droganti costituiscono una fonte di impurità controllate che vengono introdotte per modificare localmente le caratteristiche elettriche del materiale semiconduttore.
dopant gases are a source of controllable impurities used to modify the local electrical properties of the semiconductor material.
in riduzione dell'ossido drogato, parte dei droganti è incorporato durante la crescita cvt delle particelle metalliche in forma di silicati.
in reduction of the doped oxide, part of the dopants is incorporated during the cvt growth of the metal particles in the form of silicates.