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uno strato di silicio con uniformità di spessore entro ± 2,5 % lungo una distanza di 200 mm o più; o
une couche de silicium d'épaisseur uniforme avec une précision de ± 2,5 % sur une distance de 200 mm ou plus; ou
fogli da uno strato di poli(etilene tereftalato) soltanto, di spessore uguale o inferiore a 120 μm, che soltanto:
feuille d'une couche en poly(éthylène téréphtalate) seulement, d'une épaisseur n'excédant pas 120 μm, qui seulement:
uno strato di qualsiasi materiale diverso dal silicio con unformità di spessore entro ± 2,5 % lungo una distanza di 75 mm o più;
une couche de tout matériau autre que le silicium d'épaisseur uniforme avec une précision de ± 2,5 % sur une distance de 75 mm ou plus;
pellicola di poli(etilene tereftalato), ricoperta su entrambi i lati di uno strato di resina epossidica acrilica, di spessore totale di 37 μm (± 3 μm)
feuille en poly(éthylène téréphtalate), recouverte sur les deux faces d'une couche de résine époxy acrylique, d'une épaisseur totale de 37 μm (± 3 μm)
sottili strati di spessore determinato (dell'ordine del centomillesimo di mm) dal campione impiantato, unitamente all'uso di traccianti radioattivi.
énergie correspondent à la pénétration maximale dans le cristal et, selon l'importance des processus de décanalisation, ils peuvent ou non former un pic.