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un stratifié semi-conducteur composé d'un semi-conducteurs à nitrure est formé sur un substrat et un faisceau laser présentant une longueur d'onde lambda est appliqué à partir de la surface avant du stratifié semi-conducteur; lambda = h · c/e ou moins (e étant une énergie capable de séparer la liaison entre mg et h)
a semiconductor laminate consisting of a nitride semiconductor is formed on a substrate, and a laser beam having a wavelength lambda is applied from the front surface side of the semiconductor laminate; lambda = h · c/e or smaller (e is energy capable of separating off the bonding between mg and h)
