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silicon
silicium

process for the production of electroluminescent silicon features
procede de fabrication de structures electroluminescentes en silicium

subresolution silicon features and methods for forming the same
dÉtails de silicium en sous-rÉsolution et procÉdÉs de formation

in silicon substrates whose features, etched using a mask
dans des substrats de silicium, dont les structures gravées avec un masque

novel etch techniques are provided for shaping silicon features below the photolithographic resolution limits
l'invention concerne de nouvelles techniques de mise en forme de détails de silicium de dimension inférieure aux limites de la résolution photolithographique

novel etch techniques are provided for shaping silicon features below the photolithographic resolution limits.
l'invention concerne de nouvelles techniques de mise en forme de détails de silicium de dimension inférieure aux limites de la résolution photolithographique.

the thin silicon structure is cut into the desired moving mass features, flexure arms and coupling structures.
la structure de silicium mince est découpée selon les motifs de masse mobile, bras de flexion, structure de couplage désirés.

described is a process for the production of electroluminescent silicon features, the process comprising the following steps
on décrit un procédé pour la fabrication de structures électroluminescentes en silicium qui comprend les opérations suivantes

key words: scanning electron microscopy, palea, trichomes, silicon, epidermal features, festuca.
mots clés : microscopie électronique à balayage, paléa, trichomes, silice, particularité épidermique, festuca.

a plasma processing system for and method of utilizing an improved etch chemistry for effectively etching high aspect ratio silicon features
un système de traitement au plasma ainsi qu'un procédé permettant d'utiliser une meilleure solution chimique de gravure afin de graver efficacement des caractéristiques de grand allongement du silicium

a plasma processing system for and method of utilizing an improved etch chemistry for effectively etching high aspect ratio silicon features.
l'invention concerne un système de traitement au plasma ainsi qu'un procédé permettant d'utiliser une meilleure solution chimique de gravure afin de graver efficacement des caractéristiques de grand allongement du silicium.

a method for forming features in a silicon layer is provided
la présente invention a trait à un procédé permettant de former des caractéristiques sur une couche de silicium

a microelectromechanical accelerometer having submicron features is fabricated from a single crystal silicon substrate
accéléromètre microélectromécanique présentant des éléments submicroniques, réalisé à partir d'un substrat de silicium monocristallin

according to another feature, the substrate of the electronic current limiter is made of silicon.
selon une autre particularité, le substrat du limiteur électronique de courant est en silicium.

until an endpoint of a feature etched into the silicon-containing layer is reached.
jusqu'à ce qu'un point d'extrémité d'une caractéristique gravée dans la couche contenant du silicium soit atteint.

of sufficient thickness for the first set of features; fabricating the first set of features in the silicon layer
d'une épaisseur suffisante pour le premier groupe d'éléments, à fabriquer le premier groupe d'éléments dans la couche de silicium

micro-feature fill process and apparatus using hexachlorodisilane or other chlorine-containing silicon precursor
processus de remplissage de micro-elements au moyen d'hexachlorodisilane ou d'un autre precurseur de silicium contenant du chlore

composite bodies made by a silicon metal infiltration process that feature a silicon intermetallic, e.g., a metal suicide.
l'invention porte sur des corps composites obtenus par un procédé d'infiltration de silicium métallique donnant un composé intermétallique de silicium, par exemple un siliciure métallique.

fig. 1 d illustrates the device thus produced, in which the silicon substrate 1 covered with the primary oxide layer 2 is surmounted by silicon features 3 , whatever its crystallographic structure, these features being covered with a porous silicon layer 4 surmounted by the resin mask 5 .
la figure 1d illustre le dispositif ainsi réalisé dans lequel le substrat de silicium 1 recouvert de la couche d'oxyde primaire 2 est surmonté de motifs 3 en silicium, quelle que soit sa structure cristallographique, lesquels motifs sont recouverts d'une couche 4 de silicium poreux surmontée du masque en résine 5.

a microelectromechanical accelerometer (60) having submicron features is fabricated from a single crystal silicon substrate (10).
accéléromètre microélectromécanique (60) présentant des éléments submicroniques, réalisé à partir d'un substrat (10) de silicium monocristallin.