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binary compound semiconductor
semiconducteur composé binaire

binary-compound-semiconductor system
système de semiconducteur composé binaire

04 . . with a binary compound of phosphorus, except with oxygen [2]
04 . . avec un composé binaire de phosphore, excepté avec l'oxygène[2]

process according to claim 7, characterized in that the binary compound is silicon carbide.
procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait que le composé binaire est du carbure de silicium.

-compound fertilizers, binary and terciary
engrais composés, binaires et ternaires

preparation process for binary sulphur compounds
procédé d'élaboration de composés binaires du soufre

p4se3, which is the sole binary compound in the system, exists as three allotropic forms:
p4se3 qui est le seul composé binaire dans ce domaine, existe sous trois formes allotropiques:

indeed, asga is a binary compound which may start its growth on an as plane or on a ga plane.
en effet, l'asga est un composé binaire qui peut démarrer sa croissance sur un plan as ou un plan ga.

compounds and their use in a binary synthesis strategy
substances et leur utilisation pour un strategie binaire de la synthése

lipophilic binary systems for the administration of lipophilic compounds
systemes lipophiles binaires permettant l'administration de composes lipophiles

a method according any of claims 9 to 14, characterized in that the pseudo-binary compound is deposited using evaporation.
procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, caractérisé en ce que le composé pseudo-binaire est déposé par vaporisation.

metal binary and ternary compounds produced by cathodic arc deposition
composÉs mÉtalliques binaires et ternaires obtenus par dÉposition À arc cathodique

the heterojunction bipolar transistor of claim 9 or 10 wherein the emitter and collector are formed by means of a superlattice structure of two binary compound semiconductors.
transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 9 ou 10, dans lequel l'émetteur et le collecteur sont formés par le biais d'une structure en super-réseau de deux composés semiconducteurs binaires.

10 . . a component containing free boron, an organic borane or a binary compound of boron, except with oxygen [2]
10 . . un composant contenant du bore libre, un borane organique ou un composé binaire du bore, excepté avec l'oxygène[2]

penetration enhancement with binary system of cell envelope disordering compounds and lower alcohols
augmentation du pouvoir de pénétration au moyen d'un système binaire consistant en composées modifiant l'enveloppe cellulaire et en alcools à courte chaíne

process in accordance with any of the preceding claims, wherein two of said base materials are combined to form a binary compound before being deposited as one of said block layers.
procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel deux desdits matériaux de base sont combinés afin de former un composé binaire avant d'être déposé comme une desdites couches du bloc.

wherein the chemical vapor is generated by heating at least two ii-vi binary compounds
laquelle vapeur de produit chimique est générée en chauffant au moins deux composés binaires ii-vi

the compounds are two-strand duplex oligonucleobase compounds termed binary hybrid mutational vectors bhmv
ces composés sont des composés oligonucléobases duplex à deux brins dits vecteurs mutationels hybrides binaires (bhmv)

the thermally insulating layer 8 can for example be formed by a crystallized germanium, antimony and tellurium compound by any known type of thermal process such as momentary heating of the recording medium partially made of a binary compound such as gete.
la couche thermiquement isolante 8 peut, par exemple, être constituée par un composé de germanium, d'antimoine et de tellure cristallisé par tout type de procédé thermique connu tel qu'un chauffage momentané du support d'enregistrement partiellement réalisé ou à partir d'un composé binaire tel que gete.

a method according any of claims 9 to 15, characterized in that the layer of pseudo-binary compound is from 0.5 to 2.5 nm (5 to 25 angstroms) thick.
procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 15, caractérisé en ce que la couche de composé pseudo-binaire a une épaisseur de 0,5 à 2,5 nm (5 à 25 angströms).