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an x-ray detector capable of improving the detection sensitivity of a photoconduction layer
il est prévu un détecteur de rayons x susceptible d'améliorer la sensibilité de détection d'une couche de photoconduction

an x-ray detector capable of improving the detection sensitivity of a photoconduction layer.
il est prévu un détecteur de rayons x susceptible d'améliorer la sensibilité de détection d'une couche de photoconduction.

thus there is a photoconduction gain that is usually harmful because it is obtained at the cost of a lag.
il existe donc un gain de photoconduction qui est généralement néfaste car il s'obtient au prix d'un traînage.

we have extended the computational studies to the problem of polymorphism since this is known to have a profound effect on photoconduction.
sachant que le polymorphisme affecte profondément la photoconduction, on a examiné le polymorphisme du pérylène par des méthodes de calcul.

the optical fiber includes a core positioned at its center for photoconduction, and a dehydrated clad and a base clad which are coated on the clad in order
la fibre optique comprend une âme disposée en son centre pour la photoconduction, ainsi qu'une gaine déshydratée recouverte par une gaine de base

a thin film transistor having high performance and high reliability by suppressing the off current (photoconduction current) during irradiation with light
un transistor à couche mince très performant et très fiable est obtenu par suppression du courant de mise hors service (courant de photoconduction) pendant l'irradiation avec la lumière

a thin film transistor having high performance and high reliability by suppressing the off current (photoconduction current) during irradiation with light.
selon l'invention, un transistor à couche mince très performant et très fiable est obtenu par suppression du courant de mise hors service (courant de photoconduction) pendant l'irradiation avec la lumière.

also, at least one connection means passes through the insulating layer and reaches the second ohmic contact layer 4 so as to produce the common contact cc allowing the photoconduction signal to be read.
egalement, au moins un moyen de connexion traverse la couche d'isolant et atteint la deuxième couche de contact ohmique 4 de façon à réaliser le contact commun ce permettant la lecture du signal de photoconduction.

a dissociation of halogen will produce a defect level in a photoconduction layer to form a charge-deep trap, thereby affecting dark current characteristics, sensitivity characteristics and residual image characteristics
une dissociation d'halogène produira un niveau de défaut dans une couche de photoconduction pour former un piège profond de charge, affectant ainsi les caractéristiques de courant d'obscurité, les caractéristiques de sensibilité et les caractéristiques d'image résiduelle

too excessive halogen in a photoconduction layer will deposit halogen in a grain boundary, thereby preventing conductivity between fine crystals in a photoconduction layer and significantly inhibiting the sensitivity characteristics and residual image characteristics of an x conduction layer to allow a residual image to linger.
une quantité excessive d'halogène dans une couche de photoconduction va déposer un halogène dans une frontière de grains, empêchant ainsi toute conductivité entre de fins cristaux dans une couche de photoconduction et inhibant de manière considérable les caractéristiques de sensibilité et les caractéristiques d'image résiduelle d'une couche conductrice x pour permettre à une image résiduelle de persister.

in this case the light source that needs to be used to cause photoconduction may be a solid-state laser doped with neodymium, for example a neodymium-doped yag laser operating at 1060 nm.
dans ce cas, la source lumineuse à utiliser pour provoquer la photoconduction peut être un laser à solide dopé au néodyme, par exemple un laser yag dopé au néodyme, fonctionnant à 1060 nm.

a thin film transistor having high performance and high reliability by suppressing the off current (photoconduction current) during irradiation with light. the thin film transistor comprises a polysilicon semiconductor layer having a channel region, source and drain regions formed on either side of the channel region, and a depletion layer formed between the channel region and the drain region, wherein the width of the depletion layer is proportional to the photoconduction current generated when the channel region is irradiated with light, and the width of the depletion layer is equal to or smaller than a value determined according to the proportional relation in order to control the photoconduction current within a specified allowable range.
selon l'invention, un transistor à couche mince très performant et très fiable est obtenu par suppression du courant de mise hors service (courant de photoconduction) pendant l'irradiation avec la lumière. le transistor à couche mince comprend une couche semiconductrice en silicium polycristallin présentant une région de canal, une région source et une région de drain formées de part et d'autre de la région de canal, et une couche d'épuisement formée entre la région de canal et la région de drain. la largeur de la couche d'épuisement est proportionnelle au courant de photoconduction généré lorsque la région de canal est irradiée avec de la lumière. la largeur de la couche d'épuisement est égale ou inférieure à la valeur établie conformément au rapport proportionnel, afin de réguler le courant de photoconduction dans une plage attribuée précise.