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strip chart tempreture recorder
enregistreur de temperature sur bande pourvu d'un ensemble d'elements bimetalliques amovibles

hot and cold shower hot and cold water round the clock natual tempreture
historique plafonds et murs en pierre belle / riche en personnages douche chaude et froide ronds eau chaude et froide de l'horloge

the apparatus can both vary the effect of heat dissipation at the edge of the wafer and control efficiently the tempreture of the wafer.
l'appareil peut à la fois modifier l'effet de dissipation de la chaleur à l'extrémité de la tranche et réguler efficacement la température de la tranche.

the method of any preceding claim wherein said treatment product is heated to a tempreture between 648 and 927°c (about 1200 and 1700°f).
méthode de l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que ledit produit de traitement est chauffé à une température comprise entre 648 et 927°c (environ 1200 et 1700°f).

the apparatus can both vary the effect of heat dissipation at the edge of the wafer and control efficiently the tempreture of the wafer. the invention can be used mainly in the temperature controlling system of the semiconductor manufacturing process, it also can be used in other occasions, especially used in the etching apparatus.
l'appareil peut à la fois modifier l'effet de dissipation de la chaleur à l'extrémité de la tranche et réguler efficacement la température de la tranche. l'invention trouve essentiellement des applications dans des systèmes de régulation de la température de procédés de fabrication de semi-conducteurs, et également dans des appareils de gravure.

an apparatus of controlling temperature and a method of controlling the temperature of the wafer are provided, the apparatus comprises an electrostatic chuck (5) on which a wafer may be placed, a centric backside cooling gas passage (2) and an edge backside cooling gas passage (4) which are not communicated each other are disposed in the electrostatic chuck (5), the centric backside cooling gas passage (2) is contacted with the wafer tightly and sealed well, the edge surface of the edge backside cooling gas passage (4) which is contact with the wafer is rough, or one or plurity of leaking holes (11) of gas is/are disposed at the edge of electrostatic chuck, the cooling gas in the edge backside cooling gas passage (4) can be leaked along the roughness surface or the leaking holes (11), the centric backside cooling gas passage (2) is connected to the pressure controller (8), the edge backside cooling gas passage (4) is connected to the mfc. the apparatus can both vary the effect of heat dissipation at the edge of the wafer and control efficiently the tempreture of the wafer. the invention can be used mainly in the temperature controlling system of the semiconductor manufacturing process, it also can be used in other occasions, especially used in the etching apparatus.
l'invention concerne un appareil de régulation de la température et un procédé de régulation de la température d'une tranche; l'appareil comprend un support de tranche électrostatique (5) sur lequel il est possible de placer une tranche, un passage pour gaz de refroidissement arrière centré (2) et un passage pour gaz de refroidissement arrière d'extrémité (4) non reliés l'un à l'autre et qui sont disposés dans le support de tranche électrostatique (5), le passage pour gaz de refroidissement arrière centré (2) est mis en contact avec la fermeture étanche et serrée du puits; la surface d'extrémité du passage pour gaz de refroidissement arrièred'extrémité (4) qui est en contact avec la tranche est à l'état brut, ou au moins une ouverture de fuite (11) de gaz est disposée au niveau de l'extrémité du support de tranche, le gaz de refroidissement du passage pour gaz de refroidissement arrière d'extrémité (4) peut fuir le long de la surface de rugosité ou des ouvertures de fuite (11), le passage pour gaz de refroidissement arrière centré (2) est relié au régulateur de pression (8), le passage pour gaz de refroidissement arrière d'extrémité (4) est relié au mfc. l'appareil peut à la fois modifier l'effet de dissipation de la chaleur à l'extrémité de la tranche et réguler efficacement la température de la tranche. l'invention trouve essentiellement des applications dans des systèmes de régulation de la température de procédés de fabrication de semi-conducteurs, et également dans des appareils de gravure.