You searched for: chalcogenide (Engelska - Ryska)

when gst is heated to a high temperature (over 600 °c), its chalcogenide crystallinity is lost.
При нагревании gst до высокой температуры (свыше 600 °c) его халькогенидная составляющая теряет свою кристаллическую структуру.

by heating the chalcogenide to a temperature above its crystallization point, but below the melting point, it will transform into a crystalline state with a much lower resistance.
При нагревании халькогенида до температуры выше его точки кристаллизации, но ниже температуры плавления, он переходит в кристаллическое состояние с существенно более низким сопротивлением.

instead, a very small platter coated in chalcogenide is dragged beneath many (thousands or even millions) of electrical probes that can read and write the chalcogenide.
Напротив, довольно небольшая пластина, покрытая халькогенидом, помещается между множеством (тысячи или даже миллионы) электродов, которые могут считывать или записывать на халькогенид.

==background==in the 1960s, stanford r. ovshinsky of energy conversion devices first explored the properties of chalcogenide glasses as a potential memory technology.
Свойства халькогенида с точки зрения потенциальной технологии памяти впервые были исследованы Стэнфордом Овшинским из компании energy conversion devices в 1960-х.

3. transmission electron microscopy of chalcogenide thin-film photovoltaic materials professor yanfa yan, ohio research scholar endowed chair/professor, the university of toledo, usa
polymer solution, gels and phase behaviour nanostructured materials

*september 1966: stanford ovshinsky files first patent on phase change technology*january 1969: charles h. sie published a dissertation at iowa state university on chalcogenide phase change memory device*june 1969: us patent 3,448,302 (shanefield) licensed to ovshinsky claims first reliable operation of pram device*september 1970: gordon moore publishes research in electronics magazine*june 1999: ovonyx joint venture is formed to commercialize pram technology*november 1999: lockheed martin works with ovonyx on pram for space applications*february 2000: intel invests in ovonyx, licenses technology*december 2000: st microelectronics licenses pram technology from ovonyx*march 2002: macronix files a patent application for transistor-less pram*july 2003: samsung begins work on pram technology*2003 through 2005: pram-related patent applications filed by toshiba, hitachi, macronix, renesas, elpida, sony, matsushita, mitsubishi, infineon and more*august 2004: nanochip licenses pram technology from ovonyx for use in mems probe storage*august 2004: samsung announces successful 64 mbit pram array*february 2005: elpida licenses pram technology from ovonyx*september 2005: samsung announces successful 256 mbit pram array, touts 400 µa programming current*october 2005: intel increases investment in ovonyx*december 2005; hitachi and renesas announce 1.5 v pram with 100 µa programming current*december 2005: samsung licenses pram technology from ovonyx*july 2006: bae systems begins selling the first commercial pram chip*september 2006: samsung announces 512 mbit pram device*october 2006: intel and stmicroelectronics show a 128 mbit pram chip*december 2006: ibm research labs demonstrate a prototype 3 by 20 nanometers*january 2007: qimonda licenses pram technology from ovonyx*april 2007: intel's chief technology officer justin rattner is set to give the first public demonstration of the company's pram (phase-change ram) technology*october 2007: hynix begins pursuing pram by licensing ovonyx' technology*february 2008: intel and stmicroelectronics announce four-state mlc pram and begin shipping samples to customers.
* Сентябрь 1966: Стэнфорд Овшинский получил первый патент, касающийся технологии фазового перехода* Июнь 1969: Патент под номером 3,448,302, выданный Овшинскому, ознаменовал появление первой устойчиво функционирующей памяти на основе фазового перехода* Сентябрь 1970: Гордон Мур публикует свои исследования в журнале electronics* Июнь 1999: ovonyx присоединяется к рискованному мероприятию по созданию коммерческой pram-технологии* Ноябрь 1999: lockheed martin начинает работу совместно с ovonyx над pram для применения в космической отрасли* Февраль 2000: intel вкладывает средства в ovonyx, лицензирует технологию* Декабрь 2000: st microelectronics лицензирует pram-технологию у ovonyx* Март 2002: macronix получает патент на бестранзисторную pram* Июль 2003: samsung начинает работы над pram-технологией* с 2003 по 2005: Патенты, связанные с pram, получают toshiba, hitachi, macronix, renesas, elpida, sony, matsushita, mitsubishi, infineon и другие компании* Август 2004: nanochip лицензирует pram-технологию у ovonyx для использования в устройствах хранения на базе МЭМС* Август 2004: samsung демонстрирует работающий 64-Мбитный pram-массив* Февраль 2005: elpida лицензирует pram-технологию у ovonyx* Сентябрь 2005: samsung демонстрирует работающий 256-Мбитный pram-массив, обращая внимание на программируемый заряд в 400µa* Октябрь 2005: intel увеличивает инвестиции в ovonyx* Декабрь 2005; hitachi и renesas демонстрируют 1.5-вольтную pram-память с программируемым зарядом в 100µa* Декабрь 2005: samsung лицензирует pram-технологию у ovonyx* Июль 2006: bae systems начинает продажи первого коммерческого pram-чипа, радиационно упрочненной c-ram 512kx8* Сентябрь 2006: samsung анонсирует 512-Мбитное pram-устройство* Октябрь 2006: intel и stmicroelectronics демонстрируют 128-Мбитный pram-чип* Декабрь 2006: ibm research labs демонстрирует прототип 3, выполненный по технологии 20 нанометров* Январь 2007: qimonda лицензирует pram-технологию у ovonyx* Апрель 2007: Директор по технологиям intel Джастин Рэттнер уполномочен провести первую публичную демонстрацию разработок компании в области pram-технологии* Октябрь 2007: hynix начинает заниматься pram-путем лицензирования технологии у ovonyx* Февраль 2008: intel и stmicroelectronics анонсируют четырёхпозиционную (т.е.