You searched for: asga (Franska - Engelska)

lasers asga
arsenide laser, gallium

commutateur analogique avec fet-asga
gaas-fet analog switch

puis le substrat asga est éliminé.
then the asga substrate is removed.

circuits intégrés monolithiques analogiques asga
analog gaas monolithic ics'

circuits asga (arséniure de gallium)
gallium arsenide devices (ga as)

fet asga avec une couche résistive en algaas.
gsas fet with resistive algaas.

monocristal inp, monocristal asga et procede de fabrication
inp single crystal, gaas single crystal, and method for production thereof

le substrat est par exemple en asga ou inp ou hgcdte ou pbte
the substrate may be made of asga, inp, hgcdte or pbte

commutateurs fet asga à vitesse de commutation améliorée par illumination à haute intensité
faster switching gaas fet switches by illumination with high intensity light

mosfet à base d'asga et sa méthode de fabrication
gaas-based mosfet, and method of making same

fabriqué sur un substrat d'arséniure de gallium (asga)
is fabricated on a gallium-arsenide (gaas) substrate

elle est donc directement soudable à côté de puces de circuit intégré du type asga ou silicium.
it is therefore directly weldable by the side of chips of integrated circuit of the gaas or silicon type.

transistor semi-conducteur à effet de champ à base d'asga
gaas-based semiconductor field-effect transistor

un modulateur électrooptique d'un nouveau type, a être réalisé sur asga, est proposé.
a novel electrooptic modulator, based on gaas, is proposed.

des exemples sont par exemple des substrats silicium monocristallin sur quartz, des substrats asga sur silicium, etc ... .
examples are monocrystalline silicon substrates on quartz, asga substrates on silicon, and the like.

dans une autre réalisation préférée, on empile des couches de l'asga alternées avec des couches de l'algaas.
in another preferred embodiment, a stack of alternate gaas layers and gaalas layers is used.

méthode de fabrication d'une couche d'oxide sur un corps semiconducteur à base d' asga
method of manufacturing an oxide layer on a gaas-based semiconductor body