You searched for: polprevodniškega (Slovenska - Polska)

topografija polprevodniškega izdelka (ntsp)
topografia układu scalonego (ntsp)

-pravice ustvarjalca topografij polprevodniškega izdelka,
-prawa twórcy topografii produktów półprzewodnikowych,

je sestavljen iz osnove, ki vsebuje plast polprevodniškega materiala;
składającego się z korpusu materiału zawierającego warstwę materiału półprzewodnikowego;

(i) je sestavljen iz osnove, ki vsebuje plast polprevodniškega materiala; in
i) składającego się z korpusu materiału zawierającego warstwę materiału półprzewodnikowego; oraz

komercialno izkoriščanje topografije ali polprevodniškega izdelka, izdelanega z uporabo te topografije, ali njun uvoz v ta namen.
korzystanie w celach handlowych lub przywożenie w tym celu topografii lub produktu półprzewodnikowego wytworzonego z zastosowaniem tej topografii.

opomba 2:"ie" imajo skupen spomin, če imajo dostop do skupnega dela polprevodniškega spomina.
uwaga 2:"ce" korzystają ze wspólnej pamięci, jeżeli mają dostęp do wspólnego segmentu pamięci półprzewodnikowej.

"topografija" polprevodniškega izdelka pomeni niz medsebojno povezanih slik, fiksiranih ali kodiranih na kakršenkoli način;
"topografia" produktu półprzewodnikowego oznacza serię odwzorowań, jakkolwiek utrwalonych czy zakodowanych:

(ii) v katerem ima vsaka slika v nizu vzorec ali del vzorca površine polprevodniškega izdelka na katerikoli stopnji izdelave;
ii) w której to serii każde odwzorowanie ma wzór lub część wzoru powierzchni produktu półprzewodnikowego na każdym etapie jego wytwarzania;

kadar je topografija polprevodniškega izdelka sestavljena iz posameznih delov, ki so v polprevodniški industriji znani iz vsakdanje rabe, se zavaruje le, če kombinacija takih delov kot celota izpolnjuje zgoraj omenjene pogoje.
w przypadku gdy topografia produktu półprzewodnikowego składa się z elementów powszechnie znanych w przemyśle półprzewodników, chroniona jest jedynie w takim zakresie, w jakim kombinacja tych elementów jako całość wypełnia wyżej wskazane warunki.

energijo žarka 65 kev ali več in žarkovni tok 45 ma ali več za visokoenergetsko oksidacijo v ogreto "podlago" iz polprevodniškega materiala;
posiadający energię wiązki wynoszącą 65 kev lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 ma lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża".

države članice lahko določijo, da izključne pravice, podeljene v skladu s členom 2, ne nastopijo ali ne veljajo več za topografijo polprevodniškega izdelka, če v dveh letih od njenega prvega komercialnega izkoriščanja ni bila pri državnem organu vložena pravilno sestavljena prijava za registracijo.
państwa członkowskie mogą postanowić, że wyłączne prawa przyznawane zgodnie z art. 2 nie powstają lub nie mają dłużej zastosowania do topografii produktu półprzewodnikowego, chyba że wniosek o rejestrację sporządzony we właściwej formie został złożony władzy publicznej w okresie dwóch lat od jej pierwszego wykorzystania w celach handlowych.

izključna pravica dovoliti ali prepovedati dejanja, določena v odstavku 1(b), ne velja za dejanja, opravljena po tem, ko je oseba, ki ima pravico odobriti trženje topografije ali polprevodniškega izdelka, tega dala na trg v državi članici ali je za to dala soglasje.
prawa wyłączne dotyczące dozwalania lub zakazywania podejmowania działań określonych w ust. 1 lit. b) nie stosują się do żadnego z takich działań dokonanych po wprowadzeniu topografii lub produktu półprzewodnikowego na rynek w państwie członkowskim przez osobę uprawnioną do udzielania zezwoleń na ich wprowadzanie do obrotu lub za zgodą tej osoby.