You searched for: substratvorspannungsgenerators (Tyska - Franska)

integrierte schaltung in komplementärer schaltungstechnik mit feldeffekttransistoren (t1, t2) unterschiedlicher kanaltypen, von denen wenigstens ein erster (t1) in einem n-leitenden halbleitersubstrat (1) und wenigstens ein zweiter (t2) in einer im halbleitersubstrat vorgesehenen p-leitenden wannenförmigen halbleiterzone (2) angeordnet sind, wobei das halbleitersubstrat (1) mit einer positiven versorgungsspannung (v dd ) beschaltet ist, wobei ein anschlußgebiet (3) wenigstens eines ersten feldeffekttransistors (t1) mit einem massepotential (v ss ) angeschlossen ist, wobei die wannenförmige halbleiterzone (2) mit dem ausgang 17 eines eine negative substratvorspannung erzeugenden substratvorspannungsgenerators (16) verbunden ist, dem das massepotential und die versorgungsspannung zugeführt werden, dadurch gekennzeichnet, daß ein kondensator (c) mit zwei kondensatorflächen (24, 26) vorgesehen ist, dessen erste kondensatorfläche (24) in die wannenförmige halbleiterzone (2) integriert ist und dessen zweite kondensatorfläche (26) über eine elektronische schutzschaltung (27) an einen vorspannungsgenerator (28) für den kondensator geschaltet wird, daß die schutzschaltung eine serienschaltung eines lastelements und eines dritten, n-kanal feldeffekttransistors (t5) enthält, daß ein erster anschluß dieser serienschaltung, der zugleich einen anschluß des lastelements darstellt, mit der versorgungsspannung (v dd ) beschaltet ist, daß der zweite anschluß dieser serienschaltung, der zugleich einen anschluß des dritten feldeffekttransistors (t5) darstellt, mit dem massepotential (v ss ) belegt ist, daß ein gateanschluß des dritten feldeffekttransistors (t5), der den eingang (30) der schutzschaltung bildet, mit dem substratvorspannungsanschluß des substrats angeschlossen ist, daß bei einer am substratvorspannungsanschluß (18) abgegriffenen spannung, die größer als die summe aus dem massepotential (v ss ) und der einsatzspannung u t des dritten feldeffekttransistors ist, die zweite kondensatorfläche (26) und der vorspannungsgenerator (28) für den kondensator durch die elektronische schutzschaltung (27) getrennt sind und daß bei einer am substratvorspannungsanschluß (18) abgegriffenen spannung, die kleiner als die obengenannte summe ist, die zweite kondensatorfläche (26) und der vorspannungsgenerator (28) für den kondensator durch die elektronische schutzschaltung (27) miteinander verbunden sind.
circuit intégré dans une technique de circuit complémentaire comportant des transistors à effet de champ (t1, t2) de différents types de canal, parmi lesquels au moins un premier transistor à effet de champ (t1) est disposé sur un substrat à semiconducteur (1) de conductivité n et au moins un deuxième transistor à effet de champ (t2) est disposé dans une zone à semiconducteur (2) en forme de cuvette et de conductivité p prévue dans le substrat à semiconducteur, du type dans lequel le substrat à semiconducteur (1) est porté à une tension d'alimentation (v dd ) positive, une zone de connexion (3) au moins d'un premier transistor à effet de champ (t1) est reliée à un potentiel de masse (v ss ), la zone à semiconducteur (2) en forme de cuvette est reliée à la sortie (17) d'un générateur (16) de tension de polarisation du substrat, qui crée une tension négative de polarisation du substrat, et auquel sont envoyés le potentiel de masse et la tension d'alimentation caractérisé en ce qu'il est prévu un condensateur (c) comportant deux faces (24, 26) de condensateur, dont la première face (24) de condensateur est intégrée dans la zone à semiconducteur (2) en forme de cuvette et dont la seconde face (26) de condensateur est connectée à un générateur (28) de tension de polarisation pour le condensateur , par l'intermédiaire d'un circuit électronique de protection (27), en ce que le circuit de protection comprend un circuit série d'un élément de charge et d'un troisième transistor à effet de champ (t5) à canal n, en ce qu'une première borne de ce circuit série, qui représente en même temps une borne de l'élément de charge, est connectée à la tension d'alimentation (v dd ), en ce que la deuxième borne de ce circuit série, qui représente en même temps une borne du troisième transistor à effet de champ (t5), est mise au potentiel de masse (v ss ), en ce qu'une borne de grille du troisième transistor à effet de champ (t5), qui forme l'entrée (30) du circuit de protection, est reliée à la borne (18) de la tension de polarisation du substrat, en ce que, pour une tension prélevée à la borne (18) de la tension de polarisation du substrat, qui est supérieure à la somme du potentiel de masse (v ss ) et de la tension de coupure u t du troisième transistor à effet de champ, la seconde face (26) du condensateur et le générateur (28) de tension de polarisation pour le condensateur sent déconnectés par l'intermédiaire du circuit électronique de protection (27) et en ce que, pour une tension prélevée à la borne (18) de tension de polarisation de substrat, qui est inférieure à la somme précédemment citée, la seconde face (26) du condensateur et le générateur (28) de tension de polarisation pour le condensateur sont reliés, ensemble, par l'intermédiaire du circuit électronique de protection (27).