Şunu aradınız:: etsa (Endonezce - İngilizce)

pengikisan film tipis gan diselidiki dan dibandingkan untuk pembentukan mesa dalam plasma induktif berpasangan (icp) cl2 dengan aditif gas ar dan bcl3 menggunakan masker fotoresis. karakteristik etch dipelajari sebagai fungsi parameter proses icp, yaitu., daya icp, daya frekuensi radio (rf), dan tekanan ruang pada laju aliran total tetap. laju etsa pada setiap daya icp/rf adalah 0,1 -0,2 μm/menit lebih tinggi untuk campuran cl2/ar terutama karena efisiensi disosiasi cl yang lebih tinggi dari aditif ar yang mudah disediakan
gan thin film etching is investigated and compared for mesa formation in inductively coupled plasma (icp) of cl2 with ar and bcl3 gas additives using photoresist mask. etch characteristics are studied as a function of icp process parameters, viz., icp power, radio frequency (rf) power, and chamber pressure at fixed total flow rate. the etch rate at each icp/rf power is 0.1–0.2 μm/min higher for cl2/ar mixture mainly due to higher cl dissociation efficiency of ar additive that readily provid