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- ein wechsel des injektionsgebietes,
- changement de zone d'injection,
最后更新： 2011-10-23
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optoelektronische halbleitervorrichtung nach einem der vorangehenden ansprüche mit zusätzlich: einem ladungsträgerinjektionsgebiet (20) zum injizieren von ladungsträgern in das miniband (18), wobei das energieniveau des injektionsgebiets (20) im wesentlichen mit demjenigen des minibands übereinstimmt.
dispositif semi-conducteur optoélectronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une zone d'injection de porteurs (20) destinée à injecter des porteurs dans la mini-bande (18), le niveau d'énergie de la zone d'injection (20) étant sensiblement mis en correspondance avec celui de la mini-bande.
最后更新： 2014-12-03
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