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the apparatus can both vary the effect of heat dissipation at the edge of the wafer and control efficiently the tempreture of the wafer.
l'appareil peut à la fois modifier l'effet de dissipation de la chaleur à l'extrémité de la tranche et réguler efficacement la température de la tranche.
the method of any preceding claim wherein said treatment product is heated to a tempreture between 648 and 927°c (about 1200 and 1700°f).
méthode de l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que ledit produit de traitement est chauffé à une température comprise entre 648 et 927°c (environ 1200 et 1700°f).