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dispositif de mémoire à semiconducteur selon la revendication 3, dans lequel ladite première adresse d'accès série (sad) précède ladite seconde adresse d'accès série (mad) de la moitié d'une période dudit signal impulsionnel (sas).
halbleiterspeichervorrichtung nach anspruch 3, wobei die erste zugriffsadresse (sad) für seriellen zugriff der zweiten zugriffsadresse (mad) für seriellen zugriff um die hälfte der periode des impulssignals (sas) vorangeht.