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monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same
derives de monosilane ou de disilane et procede de depot chimique en phase vapeur a faible temperature de films contenant du silicium utilisant lesdits derives
field of the invention the invention relates to a process for preparing disilane from monosilane by electric discharge and cryogenic trapping.
l'invention concerne un procédé de préparation du disilane à partir du monosilane par décharge électrique et piégeage cryogénique.
process variations include film formation with and without plasma enhancement, and provision of silicon to films be either silane or disilane.
les variantes du procédé consistent à former le film avec ou sans enrichissement au plasma, et à ajouter du silicium aux films, par l'intermédiaire de silane ou de disilane.
commercially available disilane is not only expensive, but is also often contaminated by impurities, such as chlorosilanes, siloxanes and hydrocarbon compounds.
le disilane disponible sur le marché est non seulement cher mais aussi souvent contaminé par des impuretés telles que des chlorosilanes, des siloxanes et des composés hydrocarbonés.
in another embodiment, a higher order silanes, such as disilane and trisilane, aid in reducing hydrogen content for a given deposition rate.
dans un autre mode de réalisation, un silane d'ordre supérieur, tel que disilane et trisilane, contribue à réduire la teneur en hydrogène pour une vitesse de dépôt donnée.
the method of claim 1 wherein said silicon source gas is selected from silane, disilane, dichlorosilane, trichlorosilane, tetrachlorosilane, and hexachlorodisilane.
procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit gaz de source de silicium est choisi parmi les silane, disilane, dichlorosilane, trichlorosilane, tétrachlorosilane et hexachlorodisilane.
process according to claim 3, characterised in that 1,2-dimethyltetramethoxydisilane, optionally in admixture with 1,1,2-trimethyltrimethoxydisilane, is used as disilane.
procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce qu'on utilise, comme disilane, du 1,2-diméthyltétraméthoxy-disilane, éventuellement en mélange avec du 1,1,2-triméthyl-triméthoxy-disilane.