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the sem micrograph of rtp powder is with sheet shape and irregular.
la micrographie sem de poudre rtp est avec la forme de la feuille et irrégulière.

sem micrographs of cathodic deposit surfaces are shown.
les micrographies obtenues par microscopie électronique à balayage (meb) des surfaces de dépôt cathodique sont incluses.

7 and 8 are sem micrographs of the absorbent layer used in the embodiments of the invention.
les figures 7 et 8 sont des photographies prises au meb de la couche absorbante utilisée dans les modes de réalisation de l'invention.

fig. 28 is an sem micrograph of trenches in a coupon showing the formation, on tin, of a copper seed layer, estimated to be about 10 nm in thickness, obtained from an electrografted aryldiazonium film.
la figure 28 : cliché en microscopie électronique à balayage de la tranche d'un coupon montrant la formation, sur tin, d'une couche de germination de cuivre, estimée à 10 nm environ, obtenue à partir d'un film d' aryldiazonium électro-greffé .

fig. 29 is an sem micrograph of trenches in a coupon showing the filling, with copper, of 0.22 μm trenches having a seed layer obtained beforehand by electrografting a palladium-metallized aryldiazonium. fig.
la figure 29 : cliché en microscopie électronique à balayage de la tranche d'un coupon montrant le remplissage, par du cuivre, de tranchées de 0,22 →m portant une couche de germination préalablement obtenue par électro-greffage d'un aryldiazonium métallisé par du palladium.

fig. 5 is a secondary-electron sem micrograph of the composite containing no blocking agent (magnification: ×3000; grain size between 2 and 10 μm).
la figure 5 est une micrographie meb réalisée en électrons secondaires du matériau ne contenant pas d'agent bloquant (grossissement : x 3 000 ; taille des grains entre 2 et 10 μm).

fig. 25 is an sem micrograph of a trench in a silicon substrate with no etched features (planar surface) coated with a titanium nitride barrier layer of about 10 nm and with an electrografted p4vp film serving for producing a seed layer according to the present invention, showing the conformality of the coating.
la figure 25 est une micrographie de microscopie électronique à balayage (meb) d'une tranche d'un substrat de silicium sans gravures (surface plane) revêtu d'une couche barrière de nitrure de titane de 10 nm environ, et d'un film de p4vp électro-greffé servant à l'élaboration d'une couche de germination selon la présente invention, montrant la conformité du revêtement.

7 is a secondary-electron sem micrograph of the la 0.6 sr 0.4 fe 0.9 ga 0.1 o 3−δ composite containing 5 vol % magnesium oxide as blocking agent (magnification: ×50000; grain size between 0.2 and 1.6 μm).
la figure 7 est une micrographie meb réalisée en électrons secondaires du maté- riau lao.esrc/ifeo.ggarj os.δ contenant 5% vol d'oxyde de magnésium comme agent bloquant (grossissement : x 50 000 ; taille des grains entre 0,2 et 1,6 μm).