Sie suchten nach: dynamic random access memory (Englisch - Slowenisch)

dynamic random access memory
dinamični bralno-pisalni pomnilnik

dynamic random access memory (dram)
dinamični pomnilnik (dram)

random access memory card
kartica s pomnilnikom ram

rambus dynamic random access memory (rdram)
rambus dinamični pomnilnik (rdram)

static random access memory
static random access memory (statični vpisovalno/bralni pomnilnik)

static random access memory (sram)
statični pomnilnik (sram)

dynamic random-access memories (d-rams)
dinamični ram (random access memories) pomnilniki (d-ram)

synchronous graphic random access memory (sgram)
sinhroni grafični pomnilnik (sgram)

upgradability shall be ensured for the random access memory.
za delovni spomin mora biti zagotovljena možnost nadgradnje.

a static random access memory (ram) in c-mos technology,
statičnega bralno-pisalnega pomnilnika (ram) v tehnologiji c-mos,

according to portugal, the investment concerns the production of drams (dynamic random access memory).
naložba je po podatkih portugalske namenjena proizvodnji pomnilnikov dram (dynamic random access memory).

electronic integrated circuits known as dynamic random access memories (drams)
elektronska integirana vezja, poznana kot dinamični bralno pisalni pomnilnik (dram)

an in-built random-access memory with a storage capacity of 64 mb;
vgrajeni vpisovalno/bralni pomnilnik ram (random access memory) s shranjevalno zmogljivostjo 64 mb,

wt/ds299/r european communities — countervailing measures on dynamic random access memory chips from korea, adopted on 3 august 2005.
wt/ds299/r evropski skupnosti – izravnalni ukrepi za čipe za dinamične bralno-pisalne pomnilnike iz koreje, sprejeto 3. avgusta 2005.

electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): dynamic random–access memories (d–rams)
elektronska integrirana vezja (razen veččipnih integriranih vezij): dinamični ram (random access memories) pomnilniki (d-ram)

european communities-countervailing measures on dynamic random access memory chips from korea, wt/ds299/r, panel report 17 june 2005, para 7186.
izravnalni ukrepi evropskih skupnosti za čipe za dinamične pomnilnike iz koreje, wt/ds299/r, poročilo preiskovalnega odbora, 17. junij 2005, odstavek 7186.

it was designed as a testbed for the williams tube the first random-access digital storage device.
zgradili so ga na victoria university of manchester frederic c. williams, tom kilburn in geoff tootill.

repealing the countervailing duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as drams (dynamic random access memories) originating in the republic of korea and terminating the proceeding
o razveljavitvi izravnalnih dajatev na uvoz nekaterih elektronskih mikrovezij, znanih kot dram (dinamični bralno-pisalni pomnilniki), s poreklom iz republike koreje in zaključku postopka

each number shall be reset to zero only when a non-volatile random access memory (nvram) reset occurs (e.g. reprogramming event).
vsako število se ponastavi na nič le v primeru ponastavitve trajnega pomnilnika (nvram) (npr. zaradi reprogramiranja).

the council adopted a regulation repealing the countervailing duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as drams (dynamic random access memories) originating in the republic of korea ().
svet je sprejel uredbo o razveljavitvi izravnalnih dajatev na uvoz nekaterih elektronskih mikrovezij, znanih kot dram (dinamični bralno-pisalni pomnilniki), s poreklom iz republike koreje ().