Trying to learn how to translate from the human translation examples.
From professional translators, enterprises, web pages and freely available translation repositories.
igbt modules(72)
igbt modules(72)
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
smd igbt transistors(54)
smd igbt transistors(54)
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
igbt - high power supplies:
igbt - zdroje s vysokým výkonem:
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
mosfet / igbt drivers(44)
mosfet / igbt drivers(44)
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
insulated gate bipolar transistors (igbt)
bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (igbt)
Last Update: 2014-11-16
Usage Frequency: 1
Quality:
consisting of an igbt transistor chip and a diode chip on one or more lead frames,
sestávající z čipu igbt a diodového čipu na jednom či více olověných rámečcích
Last Update: 2014-11-21
Usage Frequency: 1
Quality:
half bridge with powerful igbt transistors is suitable for many different experiments or as a basis for different devices.
polomůstek s výkonnými igbt tranzistory se hodí na mnoho různých pokusů a či jako základ různých zařízení.
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
some components (electrolytes, igbt, ...) can explode at fault condition.
některé součástky (elektrolyty, igbt, ...) mohou při poruše explodovat.
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
according to customer requirements, we offer: reversible rectifier based on igbt technology or thyristors.
dle požadavků zákazníků nabízíme: reversibilní usměrňovač na bázi igbt technologie nebo tyristorů.
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
mosfet/igbt drivers(206) filters - integrated circuits(34)
integrované obvody - interface ethernet(49)
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
i recently made another igbt half bridge. i moved to the filtered power (12x 470uf 200v pairs in series).
nedávno jsem vyrobil další igbt polomůstek. přešel jsem na vyhlazené napájení (12x 470uf 200v po dvojicích v sérii).
Last Update: 2018-02-13
Usage Frequency: 1
Quality:
not more than three electrical outputs each containing two power switches (whether mosfet (metal oxide semiconductor field-effect transistor) or igbt (insulated gate bi-polar transistors)) and internal drives, and
obsahující nejvýše tří elektrické výstupy, z nichž každý obsahuje dva výkonové spínače (buď mosfet (metal oxide semiconductor field-effect transistor - tranzistory řízené elektrickým polem z polovodičů na bázi oxidů kovů) nebo igbt (insulated gate bi-polar transistors – bipolární tranzistory s izolovanou elektrodou g)) a vnitřní ovladače,
Last Update: 2014-11-21
Usage Frequency: 3
Quality: