Şunu aradınız:: igbt (İngilizce - Çekçe)

igbt modules(72)
igbt modules(72)

smd igbt transistors(54)
smd igbt transistors(54)

igbt - high power supplies:
igbt - zdroje s vysokým výkonem:

mosfet / igbt drivers(44)
mosfet / igbt drivers(44)

insulated gate bipolar transistors (igbt)
bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (igbt)

consisting of an igbt transistor chip and a diode chip on one or more lead frames,
sestávající z čipu igbt a diodového čipu na jednom či více olověných rámečcích

half bridge with powerful igbt transistors is suitable for many different experiments or as a basis for different devices.
polomůstek s výkonnými igbt tranzistory se hodí na mnoho různých pokusů a či jako základ různých zařízení.

some components (electrolytes, igbt, ...) can explode at fault condition.
některé součástky (elektrolyty, igbt, ...) mohou při poruše explodovat.

according to customer requirements, we offer: reversible rectifier based on igbt technology or thyristors.
dle požadavků zákazníků nabízíme: reversibilní usměrňovač na bázi igbt technologie nebo tyristorů.

mosfet/igbt drivers(206) filters - integrated circuits(34)
integrované obvody - interface ethernet(49)

i recently made another igbt half bridge. i moved to the filtered power (12x 470uf 200v pairs in series).
nedávno jsem vyrobil další igbt polomůstek. přešel jsem na vyhlazené napájení (12x 470uf 200v po dvojicích v sérii).

not more than three electrical outputs each containing two power switches (whether mosfet (metal oxide semiconductor field-effect transistor) or igbt (insulated gate bi-polar transistors)) and internal drives, and
obsahující nejvýše tří elektrické výstupy, z nichž každý obsahuje dva výkonové spínače (buď mosfet (metal oxide semiconductor field-effect transistor - tranzistory řízené elektrickým polem z polovodičů na bázi oxidů kovů) nebo igbt (insulated gate bi-polar transistors – bipolární tranzistory s izolovanou elektrodou g)) a vnitřní ovladače,