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dangling (1)
dangling (1)
Last Update: 2018-02-13
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by placing the dangling bond in an array of sensing species, an atomistic multi-channel gate transistor is formed
grâce au placement de la liaison pendante dans un réseau d'espèces de détection, un transistor de grille à canaux multiples atomistique est formé
by placing the dangling bond in an array of sensing species, an atomistic multi-channel gate transistor is formed.
grâce au placement de la liaison pendante dans un réseau d'espèces de détection, un transistor de grille à canaux multiples atomistique est formé.
these dangling bonds can act as electron traps when empty and hole traps when occupied.
ces liaisons pendantes peuvent agir comme piège d'électrons quand elles sont vides et comme piège de trous lorsqu'elles sont occupées.
all the experimental results indicate that the incorporated nitrogen does not act as a dopant, but rather acts as a dangling-bond compensator.
tous les résultats expérimentaux indiquent que l'azote incorporé n'agit pas comme un dopant, mais plutôt comme un compensateur de liaisons ballantes.
each of the controllably quantum mechanically coupled dangling bonds has a separation of at least one atom of the semiconductor material
chacune de ces liaisons pendantes comporte une séparation du matériau semiconducteur d'au moins un atome
a quantum device is provided that includes controllably quantum mechanically coupled dangling bonds extending from a surface of a semiconductor material
l'invention concerne un dispositif quantique qui comprend des liaisons pendantes couplées par mécanique quantique de manière réglable et s'étendant d'une surface d'un matériau semiconducteur
then, by placing the two surfaces in contact, the dangling bonds respectively of the first and second substrates combine together and create a molecular bond between the two substrates.
puis, en mettant les deux surfaces en contact, les liaisons pendantes, respectivement des premier et second substrats, se combinent ensemble et créent une adhérence moléculaire entre les deux substrats.
by controlling the concentration of hydrogen in the second impurity semiconductor layer, the dangling bonds in the second impurity semiconductor layer is significantly decreased
la régulation de la concentration d'hydrogène dans la seconde couche semi-conductrice à impuretés permet d'y réduire considérablement les liaisons pendantes
the internal grain boundaries and intergranular spaces of polycrystalline semiconductor material may be passivated with an amorphous material, to substantially eliminate the dangling bonds at the internal grain boundaries
les frontières de grains internes et les espaces intergranulaires d'un matériau semiconducteur polycrystallin peuvent être passivés avec un matériau amorphe pour éliminer sensiblement les combinaisons libres au niveau des frontières de grains internes