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method to decrease dishing rate during cmp in metal semiconductor structures
procede de diminution de la vitesse de creusage pendant le processus de planarisation chimico-mecanique de structures a semi-conducteurs metalliques
barrier film deposition over metal for reduction in metal dishing after cmp
dépôt d'une couche barrière sur un métal pour la réduction de creusage du métal après le polissage chimico-mécanique
test structures for estimating dishing and erosion effects in copper damascene technology
structures de test permettant d'estimer des effets d'erosion et de concavite dans une technologie de damasquinage au cuivre
metal chemical mechanical polishing process for minimizing dishing during semiconductor wafer fabrication
procede de polissage-planarisation chimico-mecanique de metal permettant de reduire le phenomene de formation de creux pendant la fabrication de tranches de semi-conducteur
chemical mechanical polishing process for low dishing of metal lines in semiconductor wafer fabrication
procédé de polissage mécano-chimique de lignes métalliques à bas effet de cuvette pour la fabrication de plaquettes semi-conductrices
a method of using polish stop film to control dishing during copper chemical mechanical polishing.
l'invention concerne un procédé utilisant un film d'arrêt de polissage pour réguler le bombage lors du polissage chimico-mécanique du cuivre.
the method can avoid surface dishing, improve wafer flatness, and make the process more stable
le procédé décrit dans cette invention permet d'éviter le bombage en surface, d'améliorer la planéité de la tranche, et de stabiliser le processus.