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it is advantageously possible to use an aluminum precursor in the form of a hexafluorinated acetylacetonate, or an aluminum trifluoroacetyl acetonate.
on peut ainsi avantageusement utiliser un précurseur d'aluminium sous la forme d'un acétylacétonate hexafluoré, ou d'un trifluoroacéthylacétonate d'aluminium.
Last Update: 2014-12-03
Usage Frequency: 1
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the process of claim 1, wherein x is -ch₂-, the process of claim 1, wherein x is a hexafluorinated isopropylidene group.
procédé selon la revendication 1, dans lequel x est procédé selon la revendication 1, dans lequel x est un groupe isopropylidène hexafluoré.
Last Update: 2014-12-04
Usage Frequency: 2
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a polyimide as claimed in claim 1, wherein x is a hexafluorinated isopropylidene radical and the nitrogen atoms of the imide rings are located both at the meta-position to the respective ether linkage.
un polyimide selon la revendication 1, dans lequel x est un radical isopropylidène hexafluoré et les atomes d'azote des anneaux imide sont tous les deux situés en position méta de la liaison éther respective.
Last Update: 2014-12-04
Usage Frequency: 2
Quality:
indicated below, non-exhaustively, are the suitable precursors for obtaining the oxide layers with the desired index: the low-index layers of the silica type are deposited by cvd using tetraorthosilicate teos or sih.sub.4, the low-index layers of the optionally fluorinated mixed silicon aluminium oxide type are deposited by cvd using a mixture of a silicon pre-cursor, such as teos, and an aluminium precursor in the form of an organometallic containing an alkoxide or β-diketone function of the optionally fluorinated acetylacetonate or 2-methyl-4,6-heptadione type (fluorinated aluminium precursors are chosen especially from hexafluorinated aluminium acetylacetonate or an aluminium trifluoroacetylacetonate, as described in the aforementioned application fr-a-2 727 107, the intermediate-index layers of the silicon oxycarbide sio.sub.x c.sub.y type are also deposited by cvd using ethylene and sih.sub.4, in accordance with patent application ep-a-0,518,755, the high-index layers based on tin oxide are deposited by powder pyrolysis of dibutyltin difluoride (dbtf) or by cvd using tin tetrachloride, the high-index layers based on tio.sub.2 are deposited by liquid pyrolysis using a mixture of titanium alkoxide and titanium chelate in a solvent of the ethyl acetate type (precursors described in patent ep-b-0 465 309) or by cvd using tetraisopropyl titanate, or alternatively by powder pyrolysis using methyl ethyl titanate or ti(och.sub.3).sub.4.
ci-après sont indiqués, de manière non exhaustive, les précurseurs adéquats pour obtenir les couches d'oxyde à indice voulu : o les couches à faible indice du type silice sont déposées par cvd à partir de tétraorthosilicate teos ou de sih 4 , o les couches à faible indice du type oxyde mixte de silicium et d'aluminium éventuellement fluoré sont déposées par cvd à partir d'un mélange d'un précurseur de silicium comme le teos et d'un précuseur d'aluminium sous forme d'un organo-métallique à fonction alcoolate ou β- dicétone du type acétylacétonate ou métyl-2-heptadione 4,6, éventuellement fluoré (des précurseurs d'aluminium fluoré sont notamment choisis parmi l'acétylacétonate d'aluminium hexafluoré ou un trifluoroacétylacétonate d'aluminium, comme décrit dans la demande fr-a-2 727 107 précitée, o les couches à indice intermédiaire du type oxycarbure de silicium sio x c y sont déposées également par cvd à partir d'éthylène et de sih 4 , conformément à la demande de brevet ep-a-0 51 8 755, o les couches à fort indice à base d'oxyde d'étain sont déposées par pyrolyse de poudre de dibutyldifluorure d'étain (dbtf) ou par cvd à partir de tétrachlorure d'étain, g les couches à fort indice à base de tio 2 sont déposées par pyrolyse liquide à partir d'un mélange d'alcoolate et de chélate de titane dans un solvant du type acétate d'éthyle (précurseurs décrits dans le brevet ep-b-0 465 309) ou par cvd à partir tétraisopropyltitanate, ou encore par pyrolyse de poudre à partir de méthyléthyltitanate ou de ti(och 3 ) 4 .
Last Update: 2014-12-03
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