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it is advantageously possible to use an aluminum precursor in the form of a hexafluorinated acetylacetonate, or an aluminum trifluoroacetyl acetonate.
on peut ainsi avantageusement utiliser un précurseur d'aluminium sous la forme d'un acétylacétonate hexafluoré, ou d'un trifluoroacéthylacétonate d'aluminium.

the process of claim 1, wherein x is -ch₂-, the process of claim 1, wherein x is a hexafluorinated isopropylidene group.
procédé selon la revendication 1, dans lequel x est procédé selon la revendication 1, dans lequel x est un groupe isopropylidène hexafluoré.

a polyimide as claimed in claim 1, wherein x is a hexafluorinated isopropylidene radical and the nitrogen atoms of the imide rings are located both at the meta-position to the respective ether linkage.
un polyimide selon la revendication 1, dans lequel x est un radical isopropylidène hexafluoré et les atomes d'azote des anneaux imide sont tous les deux situés en position méta de la liaison éther respective.

indicated below, non-exhaustively, are the suitable precursors for obtaining the oxide layers with the desired index: the low-index layers of the silica type are deposited by cvd using tetraorthosilicate teos or sih.sub.4, the low-index layers of the optionally fluorinated mixed silicon aluminium oxide type are deposited by cvd using a mixture of a silicon pre-cursor, such as teos, and an aluminium precursor in the form of an organometallic containing an alkoxide or β-diketone function of the optionally fluorinated acetylacetonate or 2-methyl-4,6-heptadione type (fluorinated aluminium precursors are chosen especially from hexafluorinated aluminium acetylacetonate or an aluminium trifluoroacetylacetonate, as described in the aforementioned application fr-a-2 727 107, the intermediate-index layers of the silicon oxycarbide sio.sub.x c.sub.y type are also deposited by cvd using ethylene and sih.sub.4, in accordance with patent application ep-a-0,518,755, the high-index layers based on tin oxide are deposited by powder pyrolysis of dibutyltin difluoride (dbtf) or by cvd using tin tetrachloride, the high-index layers based on tio.sub.2 are deposited by liquid pyrolysis using a mixture of titanium alkoxide and titanium chelate in a solvent of the ethyl acetate type (precursors described in patent ep-b-0 465 309) or by cvd using tetraisopropyl titanate, or alternatively by powder pyrolysis using methyl ethyl titanate or ti(och.sub.3).sub.4.
ci-après sont indiqués, de manière non exhaustive, les précurseurs adéquats pour obtenir les couches d'oxyde à indice voulu : o les couches à faible indice du type silice sont déposées par cvd à partir de tétraorthosilicate teos ou de sih 4 , o les couches à faible indice du type oxyde mixte de silicium et d'aluminium éventuellement fluoré sont déposées par cvd à partir d'un mélange d'un précurseur de silicium comme le teos et d'un précuseur d'aluminium sous forme d'un organo-métallique à fonction alcoolate ou β- dicétone du type acétylacétonate ou métyl-2-heptadione 4,6, éventuellement fluoré (des précurseurs d'aluminium fluoré sont notamment choisis parmi l'acétylacétonate d'aluminium hexafluoré ou un trifluoroacétylacétonate d'aluminium, comme décrit dans la demande fr-a-2 727 107 précitée, o les couches à indice intermédiaire du type oxycarbure de silicium sio x c y sont déposées également par cvd à partir d'éthylène et de sih 4 , conformément à la demande de brevet ep-a-0 51 8 755, o les couches à fort indice à base d'oxyde d'étain sont déposées par pyrolyse de poudre de dibutyldifluorure d'étain (dbtf) ou par cvd à partir de tétrachlorure d'étain, g les couches à fort indice à base de tio 2 sont déposées par pyrolyse liquide à partir d'un mélange d'alcoolate et de chélate de titane dans un solvant du type acétate d'éthyle (précurseurs décrits dans le brevet ep-b-0 465 309) ou par cvd à partir tétraisopropyltitanate, ou encore par pyrolyse de poudre à partir de méthyléthyltitanate ou de ti(och 3 ) 4 .