From professional translators, enterprises, web pages and freely available translation repositories.
in an intrinsic semiconductor the number of electrons in the conduction band is equal to the number of holes in the valence band.
در این نیمهرساناها تعداد الکترونهای نوار رسانش دقیقاً برابر با تعداد حفرهها در نوار ظرفیت است.
schottky diodes are usually used because they have the lowest voltage drop and highest speed and therefore have the lowest power losses due to conduction and switching.
دیود شاتکی معمولاً استفاده می شود زیرا آنها دارای کمترین افت ولتاژ و بالاترین سرعت و در نتیجه کمترین تلفات توان به علت انتقال و سوئیچینگ هستند.
in a fermi gas the lowest occupied state is taken to have zero kinetic energy, whereas in a metal the lowest occupied state is typically taken to mean the bottom of the conduction band.
در یک گاز فرمی پایینترین حالت اشغال شده دارای انرژی جنبشی صفر است، حال آنکه در یک فلز پایینترین حالت اشغال شده معمولاً کف نوار رسانش است.
braun: "on the current conduction in metal sulphides (title translated from german into english)", ann.
braun: "on the current conduction in metal sulphides (title tranlated from german into english)", ann.
when the tip of the stm's needle is brought very close to a conduction surface that has a voltage bias, by measuring the current of electrons that are tunnelling between the needle and the surface, the distance between the needle and the surface can be measured.
وقتی نوک سوزن stm خیلی نزدیک به سطح رسانایی که ولتاژ بایاس دارد قرار گیرد با اندازه گیری جریان الکترون هایی که در حال تونل زدن بین سوزن و سطح رسانا هستند، فاصله بین سوزن و سطح را می توان اندازه گرفت .
semiconductors are classified by the fully occupied valence band and unoccupied conduction band. with the small band gap in between these two bands, it takes a certain amount of energy to excite the electrons from the valence to conduction band. thus it follows that the higher the temperature, the more conductive the solid will be. band energy as stated previously, continuous bands of energy are formed due to the combinations of molecular orbitals close in energy. of course, due to the massi
نیمه هادی ها توسط گروه کاملاً اشغال شده و باند هدایت نشده اش طبقه بندی می شوند. با وجود فاصله باند کم بین این دو باند ، برای تحریک الکترون ها از ظرفیت تا باند هدایت ، مقدار مشخصی انرژی لازم است. بنابراین نتیجه می گیرد که هرچه دما بالاتر باشد ، رسانایی جامد نیز بیشتر است. انرژی باند همانطور که قبلاً بیان شد ، باندهای مداوم انرژی به دلیل ترکیب اوربیتالهای مولکولی نزدیک به انرژی تشکیل می شوند. البته به دلیل massi
Last Update: 2020-12-10
Usage Frequency: 1
Quality:
Reference: