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cette gravure peut être faite par rie au moyen des gaz chf₃-o₂ avec 30 sccm pour chf₃ et 3 sccm pour o₂.
this etching treatment can be effected by rie by means of chf.sub.3 --o.sub.2 with 30 sccm for chf.sub.3 and 3 sccm for o.sub.2.
ainsi, le revêtement formé avec un débit en oxygène de 10 sccm est plus adapté que celui formé avec un débit en oxygène de 25 sccm.
thus, the coating formed with an oxygen flow rate of 10 sccm is more suitable than that formed with an oxygen flow rate of 25 sccm.
ici la planarisation peut être menée à bien par gravure rie au moyen des gaz chf₃-o₂, avec 30 sccm pour chf₃ et 3 sccm pour o₂.
here the planarization can be carried out by rie etching by means of chf.sub.3 -o.sub.2 gases with 30 sccm for chf.sub.3 and 3 sccm for o.sub.2.
a titre d'exemple, on utilise typiquement un débit de 75 sccm pour un substrat de 200 mm de diamètre et de 200 sccm pour un substrat de 300 mm de diamètre.
by way of example, a flow rate of 75 sccm for a 200 mm diameter substrate is used, while a flow rate of 200 sccm is used for a 300 mm diameter substrate.
des gaz ar et o2 sont introduits dans la chambre de pulvérisation à des valeurs de débit d'environ 92,2 sccm et environ 7,8 sccm, respectivement
ar and o2 gases are introduced into the sputtering chamber at the flow values of about 92.2 sccm and about 7.8 sccm respectively